Cili është ndryshimi midis MOSFET dhe IGBT? Olukey do t'u përgjigjet pyetjeve tuaja!

Si elementë komutues, MOSFET dhe IGBT shpesh shfaqen në qarqet elektronike. Ata janë gjithashtu të ngjashëm në pamjen dhe parametrat karakteristikë. Unë besoj se shumë njerëz do të pyesin veten pse disa qarqe duhet të përdorin MOSFET, ndërsa të tjerët përdorin. IGBT?

Cili është ndryshimi mes tyre? Më pas,Olukeydo t'u përgjigjet pyetjeve tuaja!

Çfarë është njëMOSFET?

MOSFET, emri i plotë kinez është transistor me efekt në terren gjysmëpërçues metal-oksid. Për shkak se porta e këtij transistori me efekt fushë është e izoluar nga një shtresë izoluese, ajo quhet gjithashtu një tranzitor me efekt të fushës së portës së izoluar. MOSFET mund të ndahet në dy lloje: "N-lloj" dhe "P-lloj" sipas polaritetit të "kanalit" të tij (bartës pune), zakonisht i quajtur edhe N MOSFET dhe P MOSFET.

Vetë MOSFET ka diodën e vet parazitare, e cila përdoret për të parandaluar djegien e MOSFET-it kur VDD ka mbitension. Sepse përpara se mbitensioni të shkaktojë dëme në MOSFET, dioda prishet së pari dhe drejton rrymën e madhe në tokë, duke parandaluar kështu djegien e MOSFET-it.

Çfarë është IGBT?

IGBT (Tranzistor bipolar i portës së izoluar) është një pajisje gjysmëpërçuese e përbërë e përbërë nga një transistor dhe një MOSFET.

Simbolet e qarkut të IGBT nuk janë unifikuar ende. Gjatë vizatimit të diagramit skematik, në përgjithësi huazohen simbolet e triodës dhe MOSFET-it. Në këtë kohë, ju mund të gjykoni nëse është IGBT ose MOSFET nga modeli i shënuar në diagramin skematik.

Në të njëjtën kohë, duhet t'i kushtoni vëmendje edhe nëse IGBT ka një diodë trupi. Nëse nuk është shënuar në foto, nuk do të thotë se nuk ekziston. Përveç nëse të dhënat zyrtare specifikojnë ndryshe, kjo diodë është e pranishme. Dioda e trupit brenda IGBT nuk është parazitare, por është krijuar posaçërisht për të mbrojtur tensionin e brishtë të rezistencës së kundërt të IGBT. Quhet gjithashtu FWD (diodë me rrota të lira).

Struktura e brendshme e të dyve është e ndryshme

Tre polet e MOSFET janë burimi (S), kullimi (D) dhe porta (G).

Tre polet e IGBT janë kolektori (C), emetuesi (E) dhe porta (G).

Një IGBT është ndërtuar duke shtuar një shtresë shtesë në kullimin e një MOSFET. Struktura e tyre e brendshme është si më poshtë:

Fushat e aplikimit të të dyjave janë të ndryshme

Strukturat e brendshme të MOSFET dhe IGBT janë të ndryshme, gjë që përcakton fushat e aplikimit të tyre.

Për shkak të strukturës së MOSFET-it, ai zakonisht mund të arrijë një rrymë të madhe, e cila mund të arrijë KA, por aftësia parakusht për përballimin e tensionit nuk është aq e fortë sa IGBT. Fushat kryesore të aplikimit të tij janë furnizimet me energji elektrike, ballastet, ngrohja me induksion me frekuencë të lartë, makinat e saldimit me inverter me frekuencë të lartë, furnizimet me energji të komunikimit dhe fusha të tjera të furnizimit me energji me frekuencë të lartë.

IGBT mund të prodhojë shumë energji, rrymë dhe tension, por frekuenca nuk është shumë e lartë. Aktualisht, shpejtësia e kalimit të vështirë të IGBT mund të arrijë 100 KHZ. IGBT përdoret gjerësisht në makinat e saldimit, inverterët, konvertuesit e frekuencës, furnizimet me energji elektrike elektrolitike, ngrohjen me induksion tejzanor dhe fusha të tjera.

Karakteristikat kryesore të MOSFET dhe IGBT

MOSFET ka karakteristikat e rezistencës së lartë të hyrjes, shpejtësisë së shpejtë të kalimit, stabilitetit të mirë termik, rrymës së kontrollit të tensionit, etj. Në qark, mund të përdoret si amplifikues, ndërprerës elektronik dhe qëllime të tjera.

Si një lloj i ri i pajisjes gjysmëpërçuese elektronike, IGBT ka karakteristikat e rezistencës së lartë të hyrjes, konsumit të energjisë të kontrollit të tensionit të ulët, qarkut të thjeshtë të kontrollit, rezistencës së tensionit të lartë dhe tolerancës së madhe të rrymës, dhe është përdorur gjerësisht në qarqe të ndryshme elektronike.

Qarku ideal ekuivalent i IGBT është paraqitur në figurën më poshtë. IGBT është në fakt një kombinim i MOSFET dhe transistorit. MOSFET ka disavantazhin e rezistencës së lartë, por IGBT e kapërcen këtë mangësi. IGBT ka ende rezistencë të ulët në tension në tension të lartë. .

Në përgjithësi, avantazhi i MOSFET është se ai ka karakteristika të mira me frekuencë të lartë dhe mund të funksionojë në një frekuencë prej qindra kHz dhe deri në MHz. Disavantazhi është se rezistenca e ndezur është e madhe dhe konsumi i energjisë është i madh në situata me tension të lartë dhe me rrymë të lartë. IGBT performon mirë në situata me frekuencë të ulët dhe me fuqi të lartë, me rezistencë të vogël dhe tension të lartë të rezistencës.

Zgjidhni MOSFET ose IGBT

Në qark, nëse duhet zgjedhur MOSFET si tub i ndërprerësit të rrymës apo IGBT është një pyetje që inxhinierët hasin shpesh. Nëse merren parasysh faktorë të tillë si tensioni, rryma dhe fuqia komutuese e sistemit, mund të përmblidhen pikat e mëposhtme:

Njerëzit shpesh pyesin: "A është më mirë MOSFET apo IGBT?" Në fakt, nuk ka asnjë ndryshim të mirë apo të keq midis të dyve. Gjëja më e rëndësishme është të shikoni zbatimin e tij aktual.

Nëse keni ende pyetje në lidhje me ndryshimin midis MOSFET dhe IGBT, mund të kontaktoni Olukey për detaje.

Olukey shpërndan kryesisht produkte WINSOK MOSFET të tensionit të mesëm dhe të ulët. Produktet përdoren gjerësisht në industrinë ushtarake, pllaka drejtuese LED/LCD, pllaka drejtuese motorike, karikim të shpejtë, cigare elektronike, monitorë LCD, furnizime me energji elektrike, pajisje të vogla shtëpiake, produkte mjekësore dhe produkte Bluetooth. Peshore elektronike, elektronike automjetesh, produkte rrjeti, elektroshtepiake, pajisje periferike kompjuteri dhe produkte te ndryshme dixhitale.