Aplikacioni për fabrikimin e qarkut mbajtës të rrymës së vogël MOSFET

Një qark mbajtës MOSFET i cili përfshin rezistorët R1-R6, kondensatorët elektrolitikë C1-C3, kondensatorin C4, triodën PNP VD1, diodat D1-D2, stafetën e ndërmjetme K1, një krahasues tensioni, një çip të integruar me bazë kohore të dyfishtë NE556 dhe një MOSFET Q1, dhe një MOSFET Q1. me pinin nr. 6 të çipit të integruar me bazë të dyfishtë kohore NE556 që shërben si një hyrje sinjali dhe një fund i rezistencës R1 që lidhet në të njëjtën kohë me pinin 6 të çipit të integruar me bazë të dyfishtë NE556 përdoret si hyrje sinjali, një fund i rezistencës R1 lidhet me pinin 14 të Çipi i integruar me bazë të dyfishtë NE556, një skaj i rezistencës R2, një fund i rezistencës R4, emetuesi i PNP transistori VD1, kullimi i MOSFET Q1 dhe furnizimi me energji DC, dhe skaji tjetër i rezistencës R1 është i lidhur me pinin 1 të çipit të integruar me bazë të dyfishtë NE556, pinin 2 të çipit të integruar me bazë të dyfishtë NE556, kapaciteti elektrolitik pozitiv i kondensatorit C1 dhe rele i ndërmjetëm. K1 kontakt normalisht i mbyllur K1-1, skaji tjetër i stafetës së ndërmjetme K1 kontakt normalisht i mbyllur K1-1, poli negativ i kondensatorit elektrolitik C1 dhe një fund i kondensatorit C3 janë të lidhur me tokën e furnizimit me energji, skaji tjetër i kondensatorit C3 është i lidhur me pinin 3 të çipit të integruar me bazë kohe të dyfishtë NE556, kunja 4 e çipit të integruar me bazë të dyfishtë kohore NE556 është lidhur me polin pozitiv të kondensatorit elektrolitik C2 dhe skajin tjetër të rezistencës R2 në të njëjtën kohë, dhe poli negativ i kondensatorit elektrolitik C2 është i lidhur me tokën e furnizimit me energji elektrike, dhe poli negativ i kondensatorit elektrolitik C2 është i lidhur me fuqinë terren furnizimi. Poli negativ i C2 është i lidhur me tokën e furnizimit me energji, kunja 5 e çipit të integruar me bazë të dyfishtë kohore NE556 është e lidhur me njërin skaj të rezistencës R3, skaji tjetër i rezistencës R3 është i lidhur me hyrjen e fazës pozitive të krahasuesit të tensionit. , hyrja e fazës negative të krahasuesit të tensionit lidhet me polin pozitiv të diodës D1 dhe skajin tjetër të rezistencës R4 në të njëjtën kohë, negativ Poli i diodës D1 është i lidhur me tokën e furnizimit me energji elektrike, dhe dalja e krahasuesit të tensionit është e lidhur me fundin e rezistencës R5, skaji tjetër i rezistencës R5 është i lidhur me trefishin PNP. Dalja e krahasuesit të tensionit është e lidhur me njërin skaj të rezistencës R5, skaji tjetër i rezistencës R5 është i lidhur me bazën e tranzistorit PNP VD1, kolektori i tranzitorit PNP VD1 është i lidhur me polin pozitiv të diodës. D2, poli negativ i diodës D2 është i lidhur me fundin e rezistencës R6, fundin e kondensatorit C4 dhe porta e MOSFET në të njëjtën kohë, skaji tjetër i rezistencës R6, skaji tjetër i kondensatorit C4 dhe skaji tjetër i stafetës së ndërmjetme K1 janë të gjitha të lidhura me tokën e furnizimit me energji dhe skajin tjetër të stafetës së ndërmjetme. K1 është i lidhur me burimin e burimit tëMOSFET.

Qarku i mbajtjes MOSFET, kur A siguron një sinjal të ulët të shkas, në këtë kohë çipi i integruar me bazë kohore të dyfishtë është vendosur, çipi i integruar NE556 pin 5 me bazë kohore të dyfishtë, niveli i lartë i daljes, niveli i lartë në hyrjen e fazës pozitive të krahasuesit të tensionit, negativ hyrja fazore e krahasuesit të tensionit nga rezistenca R4 dhe dioda D1 për të siguruar një tension referimi, në këtë kohë, Niveli i lartë i daljes së krahasuesit të tensionit, niveli i lartë për të përçuar triodën VD1, rryma që rrjedh nga kolektori i triodës VD1 ngarkon kondensatorin C4 përmes diodës D2, dhe në të njëjtën kohë, MOSFET Q1 përcjell, në këtë kohë, bobinën e stafeta e ndërmjetme K1 absorbohet, dhe stafeta e ndërmjetme K1 kontakti normalisht i mbyllur K 1-1 shkëputet, dhe pas stafeta e ndërmjetme K1 kontakti normalisht i mbyllur K 1-1 është shkëputur, furnizimi me energji DC në 1 dhe 2 këmbët e çipit të integruar me bazë me kohë të dyfishtë NE556 siguron që tensioni i furnizimit të ruhet derisa voltazhi në pin 1 dhe pin 2 të dyfishtë - Çipi i integruar me bazë kohore NE556 ngarkohet në 2/3 e tensionit të furnizimit, çipi i integruar me bazë të dyfishtë NE556 rivendoset automatikisht dhe kunja 5 e çipit të integruar me bazë të dyfishtë NE556 rikthehet automatikisht në një nivel të ulët dhe qarqet pasuese nuk funksionojnë, ndërsa në këtë kohë, kondensatori C4 shkarkohet për të ruajtur përcjelljen MOSFET Q1 deri në fundi i shkarkimit të kapacitetit C4 dhe lirimi i spirales së stafetës së ndërmjetme K1, stafeta e ndërmjetme K1 kontakt normalisht i mbyllur K 11 i mbyllur, në këtë kohë përmes stafetës së ndërmjetme të mbyllur K1 kontakti normalisht i mbyllur K 1-1 do të jetë çipi i integruar me bazë kohore të dyfishtë NE556 1 këmbë dhe 2 këmbë të lirimit të tensionit fikur, për herën tjetër në çip të integruar me bazë të dyfishtë kohore NE556 pin 6 për të siguruar një sinjal të ulët të shkasit për të përgatitur çipin e integruar NE556 me bazë kohe të dyfishtë.

Struktura e qarkut të këtij aplikacioni është e thjeshtë dhe e re, kur çipi i integruar me bazë kohore të dyfishtë NE556 pin 1 dhe pin 2 ngarkon në 2/3 e tensionit të furnizimit, çipi i integruar me bazë kohe të dyfishtë NE556 mund të rivendoset automatikisht, çipi i integruar me bazë kohe të dyfishtë Pini 5 NE556 kthehet automatikisht në një nivel të ulët, në mënyrë që qarqet pasuese të mos funksionojnë, në mënyrë që të ndalojë automatikisht ngarkimin e kondensatorit C4, dhe pas ndalimit të karikimit të kondensatorit C4 të mbajtur nga përcjellësi MOSFET Q1, ky aplikacion mund të mbajë vazhdimishtMOSFETQ1 përçues për 3 sekonda.

Ai përfshin rezistorët R1-R6, kondensatorët elektrolitikë C1-C3, kondensatorin C4, tranzistorin PNP VD1, diodat D1-D2, stafetën e ndërmjetme K1, krahasuesin e tensionit, çipin e integruar me bazë kohe të dyfishtë NE556 dhe MOSFET Q1, pinin 6 të bazës së integruar me kohë të dyfishtë çipi NE556 përdoret si një hyrje sinjali, dhe një fundi i rezistencës R1 është i lidhur me pinin 14 të çipit të integruar me bazë kohore të dyfishtë NE556, rezistencën R2, pinin 14 të çipit të integruar me bazë kohe të dyfishtë NE556 dhe pinin 14 të çipit të integruar me bazë të dyfishtë kohore NE556, dhe rezistenca R2 është e lidhur me kunja 14 e çipit të integruar me bazë të dyfishtë kohore NE556. kunja 14 e çipit të integruar me bazë të dyfishtë NE556, një skaj i rezistencës R2, një fund i rezistencës R4, transistor PNP

Çfarë lloj parimi pune?

Kur A siguron një sinjal të ulët të ndezjes, atëherë çipi i integruar me bazë të dyfishtë NE556 vendoset, çipi i integruar me bazë të dyfishtë NE556 pin 5 del nivel i lartë, nivel i lartë në hyrjen e fazës pozitive të krahasuesit të tensionit, hyrja e fazës negative të krahasues i tensionit nga rezistenca R4 dhe dioda D1 për të siguruar tensionin e referencës, këtë herë, daljen e krahasuesit të tensionit Niveli i lartë, niveli i lartë i përçueshmërisë së tranzitorit VD1, rryma rrjedh nga kolektori i tranzitorit VD1 përmes diodës D2 në kondensatorin C4 duke ngarkuar, në këtë kohë, stafeta e ndërmjetme K1 thithja e spirales, stafeta e ndërmjetme K1 thithja e spirales. Rryma që rrjedh nga kolektori i tranzistorit VD1 ngarkohet në kondensatorin C4 përmes diodës D2, dhe në të njëjtën kohë,MOSFETQ1 kryen, në këtë kohë, spiralja e stafetës së ndërmjetme K1 thithet, dhe stafeta e ndërmjetme K1 kontakti normalisht i mbyllur K 1-1 shkëputet dhe pasi stafeta e ndërmjetme K1 kontakti normalisht i mbyllur K 1-1 është shkëputur, fuqia Tensioni i furnizimit i siguruar nga burimi i energjisë DC në 1 dhe 2 këmbë të çipit të integruar të bazës kohore të dyfishtë NE556 ruhet derisa kur voltazhi në pinin 1 dhe pinin 2 të çipit të integruar me bazë të dyfishtë NE556 të ngarkohet në 2/3 e tensionit të furnizimit, çipi i integruar me bazë të dyfishtë NE556 rivendoset automatikisht dhe pini 5 i çipit të integruar të dyfishtë Çipi i integruar i bazës kohore NE556 rikthehet automatikisht në një nivel të ulët dhe qarqet pasuese nuk funksionojnë, dhe në këtë kohë, kondensatori C4 shkarkohet për të ruajtur përcjelljen e MOSFET Q1 deri në fund të shkarkimit të kondensatorit C4, dhe spiralja e stafetës së ndërmjetme K1 lëshohet, dhe stafeta e ndërmjetme K1, normalisht e mbyllur, kontakti K 1-1 shkëputet. Rele K1 kontakt normalisht i mbyllur K 1-1 i mbyllur, këtë herë përmes stafetës së ndërmjetme të mbyllur K1 kontakti normalisht i mbyllur K 1-1 do të jetë çipi i integruar me bazë të dyfishtë NE556 1 këmbë dhe 2 këmbë në lirimin e tensionit, për herën tjetër në pini 6 i çipit të integruar me bazë të dyfishtë NE556 për të siguruar një sinjal nxitës për të vendosur në nivele të ulëta, në mënyrë që të bëhen përgatitjet për bazën me kohë të dyfishtë set i integruar i çipit NE556.