Rreth MOSFET me fuqi të lartë ka qenë një nga inxhinierët e etur për të diskutuar këtë temë, kështu që ne kemi organizuar njohuritë e zakonshme dhe të pazakonta tëMOSFET, Shpresoj të ndihmoj inxhinierët. Le të flasim për MOSFET, një komponent shumë i rëndësishëm!
Mbrojtje antistatike
MOSFET me fuqi të lartë është një tub me efekt të fushës së portës së izoluar, porta nuk ka qark të rrymës direkte, impedanca e hyrjes është jashtëzakonisht e lartë, është shumë e lehtë të shkaktohet grumbullimi statik i ngarkesës, duke rezultuar në një tension të lartë do të jetë porta dhe burimi i shtresa izoluese midis prishjes.
Shumica e prodhimit të hershëm të MOSFET-ve nuk kanë masa antistatike, kështu që jini shumë të kujdesshëm në ruajtje dhe aplikim, veçanërisht në MOSFET me fuqi më të vogël, për shkak të fuqisë më të vogël, kapaciteti hyrës i MOSFET-it është relativisht i vogël, kur ekspozohet ndaj elektricitetit statik gjeneron një tension më i lartë, i shkaktuar lehtësisht nga prishja elektrostatike.
Përmirësimi i fundit i MOSFET me fuqi të lartë është një ndryshim relativisht i madh, para së gjithash, për shkak të funksionit të një kapaciteti më të madh hyrës është gjithashtu më i madh, kështu që kontakti me elektricitetin statik ka një proces karikimi, duke rezultuar në një tension më të vogël, duke shkaktuar prishje. e mundësisë së MOSFET-it më të vogël, dhe pastaj përsëri, tani MOSFET me fuqi të lartë në portën e brendshme dhe burimin e portës dhe burimin e një rregullatori të mbrojtur DZ, statike e ngulitur në mbrojtjen e diodës së rregullatorit vlera e rregullatorit të tensionit Më poshtë, në mënyrë efektive Mbrojtja e portës dhe burimi i shtresës izoluese, fuqia e ndryshme, modele të ndryshme të rregullatorit të mbrojtjes MOSFET, vlera e rregullatorit të tensionit të diodës është e ndryshme.
Edhe pse MOSFET-i me fuqi të lartë masat e mbrojtjes së brendshme, ne duhet të operojmë në përputhje me procedurat e funksionimit antistatikë, të cilat duhet të ketë një personel i kualifikuar mirëmbajtjeje.
Zbulimi dhe zëvendësimi
Në riparimin e televizorëve dhe pajisjeve elektrike, do të hasni një sërë dëmtimesh të komponentëve,MOSFETështë gjithashtu në mesin e tyre, kështu që stafi ynë i mirëmbajtjes përdor multimetrin e përdorur zakonisht për të përcaktuar MOSFET-in e mirë dhe të keq, të mirë dhe të keq. Në zëvendësimin e MOSFET nëse nuk ka të njëjtin prodhues dhe të njëjtin model, si të zëvendësohet problemi.
1, testi MOSFET me fuqi të lartë:
Si personel i përgjithshëm i riparimit të televizorit elektrik në matjen e transistorëve ose diodave kristal, përgjithësisht duke përdorur një multimetër të zakonshëm për të përcaktuar transistorët ose diodat e mira dhe të këqija, megjithëse gjykimi i parametrave elektrikë të transistorit ose diodës nuk mund të konfirmohet, por për aq kohë sa metoda është e saktë për konfirmimin e transistorëve kristal "mirë" dhe "të keq" ose "të keq" për konfirmimin e transistorëve kristal. "Keq" ose pa problem. Në mënyrë të ngjashme, MOSFET mund të jetë gjithashtu
Aplikimi i multimetrit për të përcaktuar "mirën" dhe "të keqen" e tij, nga mirëmbajtja e përgjithshme, mund të plotësojë gjithashtu nevojat.
Zbulimi duhet të përdorë një multimetër të tipit tregues (matësi dixhital nuk është i përshtatshëm për matjen e pajisjeve gjysmëpërçuese). Për tubat komutues MOSFET të tipit të energjisë janë përmirësim të kanaleve N, produktet e prodhuesve pothuajse të gjithë përdorin të njëjtën formë paketimi TO-220F (i referohet furnizimit me energji komutuese për fuqinë 50-200 W të tubit ndërrues me efekt në terren) , rregullimi i tre elektrodave është gjithashtu i qëndrueshëm, domethënë të tre
Kunjat poshtë, modeli i printimit përballë vetes, kunja e majtë për portën, kunja e djathtë e provës për burimin, kunja e mesme për kullimin.
(1) multimetër dhe përgatitjet përkatëse:
Para së gjithash, para se të matni duhet të jetë në gjendje të përdorni multimetrin, veçanërisht aplikimin e ingranazheve om, për të kuptuar bllokun ohm do të jetë aplikimi i saktë i bllokut om për të matur transistorin kristal dheMOSFET.
Me bllokun multimetër om, shkalla qendrore e ohmit nuk mund të jetë shumë e madhe, mundësisht më pak se 12 Ω (tabela e tipit 500 për 12 Ω), në mënyrë që në bllokun R × 1 të mund të ketë një rrymë më të madhe, për kryqëzimin PN të përpara. karakteristikat e gjykimit janë më të sakta. Bateria e brendshme e bllokut multimetër R × 10K është më mirë më e madhe se 9V, kështu që në matjen e rrymës së kundërt të rrjedhjes së kryqëzimit PN është më e saktë, përndryshe rrjedhja nuk mund të matet.
Tani për shkak të ecurisë së procesit të prodhimit, shqyrtimi i fabrikës, testimi është shumë i rreptë, ne përgjithësisht gjykojmë për sa kohë që gjykimi i MOSFET nuk rrjedh, nuk depërton në qarkun e shkurtër, mos qarkullimi i brendshëm, mund të jetë e përforcuar gjatë rrugës, metoda është jashtëzakonisht e thjeshtë:
Përdorimi i një blloku multimetër R × 10K; Bateria e brendshme e bllokut R × 10K është përgjithësisht 9V plus 1.5V deri në 10.5V, ky tension në përgjithësi gjykohet të jetë i mjaftueshëm rrjedhje e përmbysjes së kryqëzimit PN, stilolapsi i kuq i multimetrit është potencial negativ (i lidhur me terminalin negativ të baterisë së brendshme), stilolapsi i zi i multimetrit është potencial pozitiv (i lidhur me terminalin pozitiv të baterisë së brendshme).
(2) Procedura e testimit:
Lidheni stilolapsin e kuq me burimin e MOSFET S; lidhni stilolapsin e zi me kullimin e MOSFET D. Në këtë kohë, treguesi i gjilpërës duhet të jetë pafundësi. Nëse ka një indeks omik, që tregon se tubi në provë ka një fenomen rrjedhjeje, ky tub nuk mund të përdoret.
Ruani gjendjen e mësipërme; në këtë kohë me një rezistencë 100K ~ 200K të lidhur me portën dhe kullimin; në këtë kohë gjilpëra duhet të tregojë numrin e ohmëve sa më i vogël aq më mirë, në përgjithësi mund të tregohet në 0 ohmë, këtë herë është një ngarkesë pozitive përmes rezistencës 100K në karikimin e portës MOSFET, duke rezultuar në një fushë elektrike të portës, për shkak të Fusha elektrike e gjeneruar nga kanali përçues që rezulton në kullimin dhe përcjelljen e burimit, kështu që devijimi i gjilpërës multimeter, këndi i devijimit është i madh (indeksi i Ohmit është i vogël) për të provuar se performanca e shkarkimit është e mirë.
Dhe pastaj lidhur me rezistencën hequr, atëherë treguesi multimeter duhet të jetë ende MOSFET në indeks mbetet i pandryshuar. Edhe pse rezistenca për të hequr, por për shkak se rezistenca në portën e ngarkuar nga ngarkuar nuk zhduket, fusha elektrike porta vazhdon të ruajë kanalin e brendshëm përçueshëm është ruajtur ende, e cila është karakteristika e tipit porta izoluar MOSFET.
Nëse rezistenca për të hequr gjilpërë do të kthehet ngadalë dhe gradualisht në rezistencë të lartë apo edhe të kthehet në pafundësi, të marrin në konsideratë që matet rrjedhjet e portës tub.
Në këtë kohë me një tel, të lidhur me portën dhe burimin e tubit në provë, treguesi i multimetrit u kthye menjëherë në pafundësi. Lidhja e telit në mënyrë që MOSFET-i i matur, lirimi i ngarkesës së portës, fusha e brendshme elektrike të zhduket; Kanali përçueshëm gjithashtu zhduket, kështu që kullimi dhe burimi midis rezistencës dhe bëhen të pafund.
2, zëvendësim MOSFET me fuqi të lartë
Në riparimin e televizorëve dhe të gjitha llojeve të pajisjeve elektrike, dëmtimi i komponentëve duhet të zëvendësohet me të njëjtin lloj komponentësh. Megjithatë, ndonjëherë të njëjtat komponentë nuk janë në dispozicion, është e nevojshme të përdoren lloje të tjera zëvendësimi, kështu që duhet të kemi parasysh të gjitha aspektet e performancës, parametrat, dimensionet, etj., si televizori brenda tubit të daljes së linjës, si Për sa kohë që konsiderata e tensionit, rrymës, fuqisë në përgjithësi mund të zëvendësohet (tubi i daljes së linjës pothuajse të njëjtat dimensione të pamjes), dhe fuqia tenton të jetë më e madhe dhe më e mirë.
Për zëvendësimin e MOSFET, edhe pse edhe ky parim, është mirë të prototipizosh më të mirët, në veçanti, mos kërko që fuqia të jetë më e madhe, sepse fuqia është e madhe; Kapaciteti i hyrjes është i madh, i ndryshuar dhe qarqet e ngacmimit nuk përputhen me ngacmimin e rezistencës kufizuese të rrymës së ngarkesës së qarkut të ujitjes me madhësinë e vlerës së rezistencës dhe kapaciteti i hyrjes së MOSFET lidhet me zgjedhjen e fuqisë së madhe pavarësisht nga kapacitet i madh, por kapaciteti i hyrjes është gjithashtu i madh, dhe kapaciteti i hyrjes është gjithashtu i madh, dhe fuqia nuk është e madhe.
Kapaciteti i hyrjes është gjithashtu i madh, qarku i ngacmimit nuk është i mirë, gjë që nga ana tjetër do të përkeqësojë performancën e ndezjes dhe fikjes së MOSFET. Tregon zëvendësimin e modeleve të ndryshme të MOSFET, duke marrë parasysh kapacitetin hyrës të këtij parametri.
Për shembull, ka një dëmtim të bordit të tensionit të lartë të një TV LCD 42 inç me dritë të prapme, pasi të keni kontrolluar dëmtimin e brendshëm të MOSFET me fuqi të lartë, sepse nuk ka numër prototip të zëvendësimit, zgjedhja e tensionit, rrymës, fuqisë nuk është më pak se Zëvendësimi origjinal i MOSFET-it, rezultati është që tubi i dritës së prapme duket të jetë një dridhje e vazhdueshme (vështirësi në nisje) dhe më në fund zëvendësohet me të njëjtin lloj origjinali për të zgjidhur problemin.
Dëmtimi i zbuluar i MOSFET-it me fuqi të lartë, zëvendësimi i komponentëve të tij periferikë të qarkut të perfuzionit duhet gjithashtu të zëvendësohet, sepse dëmtimi i MOSFET-it mund të jetë gjithashtu komponentë të dobët të qarkut të perfuzionit të shkaktuar nga dëmtimi i MOSFET-it. Edhe nëse vetë MOSFET është dëmtuar, në momentin që MOSFET prishet, komponentët e qarkut të perfuzionit gjithashtu dëmtohen dhe duhet të zëvendësohen.
Ashtu siç kemi shumë mjeshtër të zgjuar riparimi në riparimin e furnizimit me energji komutuese A3; për sa kohë që tubi komutues zbulohet se prishet, ai është gjithashtu pjesa e përparme e tubit të ngacmimit 2SC3807 së bashku me zëvendësimin e të njëjtës arsye (edhe pse tubi 2SC3807, i matur me një multimetër është i mirë).
Koha e postimit: Prill-15-2024
