Cilat janë katër rajonet e një MOSFET?

 

Katër rajonet e një MOSFET përmirësimi të kanaleve N

(1) Rajoni i rezistencës së ndryshueshme (i quajtur gjithashtu rajon i pangopur)

Ucs" Ucs (th) (tensioni i ndezjes), uDs" UGs-Ucs (th), është rajoni në të majtë të gjurmës së parakapur në figurën ku kanali është i ndezur. Vlera e UD-ve është e vogël në këtë rajon dhe rezistenca e kanalit në thelb kontrollohet vetëm nga UG-të. Kur uG-të janë të sigurta, ip dhe uD në një marrëdhënie lineare, rajoni përafrohet si një grup vijash të drejta. Në këtë kohë, efekti fushë tub tub D, S midis ekuivalentit të një tensioni UGS

Kontrollohet nga rezistenca e ndryshueshme e tensionit UGS.

(2) rajoni i rrymës konstante (i njohur gjithashtu si rajoni i ngopjes, rajoni i amplifikimit, rajoni aktiv)

Ucs ≥ Ucs (h) dhe Ubs ≥ UcsUssth), për figurën e anës së djathtë të pikës paraprake jashtë pista, por ende e pazbërthyer në rajon, në rajon, kur uG-të duhet të jenë, ib pothuajse nuk bën ndryshimi me UD-të, është një karakteristika me rrymë konstante. i kontrollohet vetëm nga UG-të, atëherë MOSFETD, S është ekuivalent me një kontroll të tensionit uG të burimit aktual. MOSFET përdoret në qarqet amplifikuese, përgjithësisht në punën e MOSFET D, S është ekuivalent me një burim të rrymës kontrolluese të tensionit uG. MOSFET i përdorur në qarqet e amplifikimit, përgjithësisht punojnë në rajon, i njohur edhe si zona e amplifikimit.

(3) Zona e prerjes (e quajtur edhe zona e prerjes)

Zona e prerjes (e njohur gjithashtu si zona e ndërprerjes) për të përmbushur ucs "Ues (th) për figurën pranë boshtit horizontal të rajonit, kanali është i fiksuar i gjithë, i njohur si fikja e plotë, io = 0 , tubi nuk punon.

(4) vendndodhjen e zonës së prishjes

Rajoni i ndarjes ndodhet në rajonin në anën e djathtë të figurës. Me rritjen e UD-ve, kryqëzimi PN i nënshtrohet shumë tensionit të kundërt dhe prishjes, ip rritet ndjeshëm. Tubi duhet të operohet në mënyrë që të shmanget funksionimi në rajonin e prishjes. Kurba karakteristike e transferimit mund të nxirret nga kurba karakteristike e daljes. Mbi metodën e përdorur si grafik për të gjetur. Për shembull, në figurën 3 (a) për vijën vertikale Ubs = 6V, kryqëzimi i saj me kthesat e ndryshme që korrespondojnë me vlerat i, Us në koordinatat ib-Uss të lidhura me kurbën, domethënë për të marrë kurbën karakteristike të transferimit.

Parametrat eMOSFET

Ka shumë parametra të MOSFET, duke përfshirë parametrat DC, parametrat AC dhe parametrat kufizues, por vetëm parametrat kryesorë të mëposhtëm duhet të merren parasysh në përdorim të përbashkët: rryma e burimit të kullimit të burimit të kullimit IDSS, tensioni i fikjes lart, (tubat e tipit të kryqëzimit dhe shterimi -Tubacionet e tipit me portë të izoluar ose UT me tension ndezës (tuba me portë të përforcuar me izolim), trans-përçueshmëri gm, BUDS e tensionit të prishjes së burimit të rrjedhjes, fuqia maksimale e shpërndarë PDSM dhe rryma maksimale e burimit të kullimit IDSM.

(1) Rryma e ngopur e kullimit

Rryma e ngopur e kullimit IDSS është rryma e kullimit në një portë të izoluar të tipit të bashkimit ose shterimit MOSFET kur voltazhi i portës UGS = 0.

(2) Tensioni i fikjes

Tensioni i fikjes UP është tensioni i portës në një MOSFET me portë të izoluar të tipit të kryqëzimit ose të tipit të varfërimit që thjesht shkëputet midis kullimit dhe burimit. Siç tregohet në 4-25 për tubin me kanal N UGS një kurbë ID, mund të kuptohet për të parë rëndësinë e IDSS dhe UP

MOSFET katër rajone

(3) Tensioni i ndezjes

Tensioni i ndezjes UT është voltazhi i portës në një MOSFET me portë të përforcuar me izolim që e bën burimin ndër-kullues thjesht të përçueshëm.

(4) Transpërçueshmëria

Transpërcjellshmëria gm është aftësia e kontrollit të tensionit të burimit të portës UGS në ID-në e rrymës së shkarkimit, dmth., raporti i ndryshimit në ID të rrymës së shkarkimit me ndryshimin në tensionin e burimit të portës UGS. 9m është një parametër i rëndësishëm që peshon aftësinë përforcuese tëMOSFET.

(5) Tensioni i prishjes së burimit të kullimit

Tensioni i prishjes së burimit të kullimit BUDS i referohet tensionit të burimit të portës së sigurt UGS, funksionimi normal i MOSFET mund të pranojë tensionin maksimal të burimit të kullimit. Ky është një parametër limit, i shtuar në MOSFET voltazhi i funksionimit duhet të jetë më i vogël se BUDS.

(6) Shpërndarja maksimale e fuqisë

Shpërndarja maksimale e energjisë PDSM është gjithashtu një parametër kufi, i referohetMOSFETperformanca nuk përkeqësohet kur burimi i rrjedhjes maksimale të lejueshme shpërndahet fuqia. Kur përdorni MOSFET, konsumi praktik i energjisë duhet të jetë më i vogël se PDSM dhe të lërë një diferencë të caktuar.

(7) Rryma maksimale e shkarkimit

Rryma maksimale e rrjedhjes IDSM është një tjetër parametër kufi, i referohet funksionimit normal të MOSFET, burimi i rrjedhjes së rrymës maksimale të lejuar të kalojë përmes rrymës së funksionimit të MOSFET nuk duhet të kalojë IDSM.

Parimi i funksionimit të MOSFET

Parimi i funksionimit të MOSFET (MOSFET i zgjerimit të kanaleve N) është përdorimi i VGS për të kontrolluar sasinë e "ngarkimit induktiv", në mënyrë që të ndryshojë gjendjen e kanalit përçues të formuar nga këto "ngarkesa induktive" dhe më pas të arrihet qëllimi. të kontrollit të rrymës së kullimit. Qëllimi është të kontrolloni rrymën e kullimit. Në prodhimin e tubave, përmes procesit të krijimit të një numri të madh të joneve pozitive në shtresën izoluese, kështu që në anën tjetër të ndërfaqes mund të induktohen më shumë ngarkesa negative, këto ngarkesa negative mund të induktohen.

Kur ndryshon voltazhi i portës, ndryshon edhe sasia e ngarkesës së induktuar në kanal, ndryshon edhe gjerësia e kanalit përcjellës, dhe kështu ID e rrymës së shkarkimit ndryshon me tensionin e portës.

Roli MOSFET

I. MOSFET mund të aplikohet për amplifikimin. Për shkak të rezistencës së lartë hyrëse të amplifikatorit MOSFET, kondensatori bashkues mund të jetë me kapacitet më të vogël, pa përdorimin e kondensatorëve elektrolitikë.

Së dyti, impedanca e lartë hyrëse e MOSFET është shumë e përshtatshme për konvertimin e rezistencës. Përdoret zakonisht në fazën hyrëse të amplifikatorit me shumë faza për konvertimin e rezistencës.

MOSFET mund të përdoret si një rezistencë e ndryshueshme.

Së katërti, MOSFET mund të përdoret lehtësisht si një burim rrymë konstante.

Së pesti, MOSFET mund të përdoret si një ndërprerës elektronik.