Dizajnerët e qarqeve duhet të kenë marrë parasysh një pyetje kur zgjedhin MOSFET: A duhet të zgjedhin MOSFET me kanal P apo MOSFET me kanal N? Si prodhues, ju duhet të dëshironi që produktet tuaja të konkurrojnë me tregtarët e tjerë me çmime më të ulëta, dhe gjithashtu duhet të bëni krahasime të përsëritura. Pra, si të zgjidhni? OLUKEY, një prodhues i MOSFET me 20 vjet përvojë, dëshiron të ndajë me ju.
Dallimi 1: karakteristikat e përçueshmërisë
Karakteristikat e MOS të kanalit N janë se do të ndizet kur Vgs është më i madh se një vlerë e caktuar. Është i përshtatshëm për t'u përdorur kur burimi është i tokëzuar (makinë e nivelit të ulët), për sa kohë që voltazhi i portës arrin 4V ose 10V. Sa i përket karakteristikave të MOS të kanalit P, ai do të ndizet kur Vgs është më pak se një vlerë e caktuar, e cila është e përshtatshme për situatat kur burimi është i lidhur me VCC (disku i nivelit të lartë).
Diferenca 2:MOSFEThumbja e ndërrimit
Qoftë MOS me kanal N ose MOS me kanal P, ka një rezistencë të ndezur pasi është ndezur, kështu që rryma do të konsumojë energji në këtë rezistencë. Kjo pjesë e energjisë së konsumuar quhet humbje përçueshmërie. Zgjedhja e një MOSFET me një rezistencë të vogël në ndezje do të zvogëlojë humbjen e përçueshmërisë dhe rezistenca e ndezur e MOSFET-ve aktuale me fuqi të ulët është përgjithësisht rreth dhjetëra miliohm, dhe ka edhe disa miliohm. Përveç kësaj, kur MOS është i ndezur dhe fikur, ai nuk duhet të përfundojë menjëherë. Ka një proces zvogëlimi, dhe rryma rrjedhëse ka gjithashtu një proces në rritje.
Gjatë kësaj periudhe, humbja e MOSFET-it është produkt i tensionit dhe rrymës, i quajtur humbje komutuese. Zakonisht humbjet e komutimit janë shumë më të mëdha se humbjet e përcjelljes, dhe sa më e lartë të jetë frekuenca e ndërrimit, aq më të mëdha janë humbjet. Produkti i tensionit dhe rrymës në momentin e përcjelljes është shumë i madh, dhe humbja e shkaktuar është gjithashtu shumë e madhe, kështu që shkurtimi i kohës së ndërrimit zvogëlon humbjen gjatë çdo përcjelljeje; ulja e frekuencës së ndërrimit mund të zvogëlojë numrin e ndërprerësve për njësi të kohës.
Ndryshimi i tretë: përdorimi i MOSFET
Lëvizshmëria e vrimës së MOSFET me kanal P është e ulët, kështu që kur madhësia gjeometrike e MOSFET dhe vlera absolute e tensionit të funksionimit janë të barabarta, transpërcueshmëria e MOSFET me kanal P është më e vogël se ajo e MOSFET me kanal N. Për më tepër, vlera absolute e tensionit të pragut të MOSFET të kanalit P është relativisht e lartë, duke kërkuar një tension më të lartë operativ. MOS i kanalit P ka një lëkundje të madhe logjike, një proces të gjatë karikimi dhe shkarkimi dhe një transpërçueshmëri të vogël të pajisjes, kështu që shpejtësia e funksionimit të tij është më e ulët. Pas shfaqjes së MOSFET me kanal N, shumica e tyre janë zëvendësuar nga MOSFET me kanal N. Megjithatë, për shkak se MOSFET me kanal P ka një proces të thjeshtë dhe është i lirë, disa qarqe kontrolli dixhital të shkallës së mesme dhe të vogël ende përdorin teknologjinë e qarkut PMOS.
Në rregull, kjo është e gjitha për ndarjen e sotme nga OLUKEY, një prodhues paketimi MOSFET. Për më shumë informacion, mund të na gjeni nëOLUKEYfaqen zyrtare. OLUKEY është fokusuar në MOSFET për 20 vjet dhe e ka selinë në Shenzhen, Provinca Guangdong, Kinë. Kryesisht i angazhuar në transistorë me efekt të rrymës së lartë, MOSFET me fuqi të lartë, MOSFET me paketë të mëdha, MOSFET me tension të vogël, MOSFET me paketë të vogla, MOSFET me rrymë të vogël, tuba me efekt fushë MOS, MOSFET të paketuara, MOS me fuqi, paketa MOSFET, MOSFET origjinale, MOSFET të paketuara, etj. Produkti kryesor i agjentit është WINSOK.
Koha e postimit: Dhjetor-17-2023
