Hidhini një sy MOSFET-ve

MOSFET-et janë MOSFET izolues në qarqet e integruara.MOSFET-et, si një nga pajisjet më themelore nëgjysmëpërçuesi fushë, përdoren gjerësisht në qarqet e nivelit të bordit, si dhe në projektimin e IC. Kullimi dhe burimi iMOSFET mund të ndërrohen dhe formohen në një port të pasme të tipit P me një rajon të tipit N. Në përgjithësi, të dy burimet janë të këmbyeshëm, të dy duke formuar një rajon të tipit N nëPorta e pasme e tipit P. Në përgjithësi, këto dy zona janë të njëjta, dhe edhe nëse këto dy seksione ndërrohen, performanca e pajisjes nuk do të ndikohet. Prandaj, pajisja konsiderohet simetrike.

Parimi:

MOSFET përdor VGS për të kontrolluar sasinë e "ngarkimit të induktuar" për të ndryshuar gjendjen e kanalit përcjellës të formuar nga këto "ngarkesa të induktuara" për të kontrolluar rrymën e shkarkimit. Kur prodhohen MOSFET, një numër i madh jonesh pozitive shfaqen në shtresën izoluese përmes proceseve të veçanta, kështu që më shumë ngarkesa negative mund të ndjehen në anën tjetër të ndërfaqes, dhe rajoni N i papastërtive me përshkueshmëri të lartë lidhet me këto ngarkesa negative, dhe kanali përcjellës formohet, dhe një rrymë relativisht e madhe kullimi, ID, gjenerohet edhe nëse VGS është 0. Nëse tensioni i portës ndryshon, sasia e ngarkesës së induktuar në kanal gjithashtu ndryshon dhe gjerësia i kanalit përçues ndryshon në të njëjtën masë. Nëse ndryshon voltazhi i portës, sasia e ngarkesës së induktuar në kanal gjithashtu do të ndryshojë, dhe gjerësia në kanalin përcjellës gjithashtu do të ndryshojë, kështu që ID e rrymës së shkarkimit do të ndryshojë së bashku me tensionin e portës.

Roli:

1. Mund të aplikohet në qarkun e amplifikatorit. Për shkak të rezistencës së lartë hyrëse të amplifikatorit MOSFET, kapaciteti i bashkimit mund të jetë më i vogël dhe kondensatorët elektrolitikë nuk mund të përdoren.

Impedanca e lartë e hyrjes është e përshtatshme për konvertimin e rezistencës. Shpesh përdoret për konvertimin e rezistencës së rezistencës në fazën hyrëse të amplifikatorëve me shumë faza.

3, Mund të përdoret si rezistencë e ndryshueshme.

4, mund të përdoret si një çelës elektronik.

MOSFET tani përdoren në një gamë të gjerë aplikimesh, duke përfshirë kokat me frekuencë të lartë në televizorë dhe furnizimet me energji elektrike. Në ditët e sotme, transistorët bipolarë të zakonshëm dhe MOS janë bashkuar së bashku për të formuar IGBT (transistor bipolar i portës së izoluar), i cili përdoret gjerësisht në zonat me fuqi të lartë, dhe qarqet e integruara MOS kanë karakteristikën e konsumit të ulët të energjisë, dhe tani CPU-të janë përdorur gjerësisht në Qarqet MOS.