Qarku kundër kundërt MOSFET

Së pari, parimi bazë i qarkut kundër kundërt MOSFET

MOSFET qark anti-reverse duke përdorur karakteristikat komutuese të MOSFET, duke kontrolluar tensionin e portës (G) për të realizuar qarkun ndezur dhe fikur. Kur polariteti i furnizimit me energji elektrike është i saktë, voltazhi i portës e bën MOSFET-in në gjendje përçueshmërie, rryma mund të rrjedhë normalisht; kur polariteti i furnizimit me energji është i kundërt, voltazhi i portës nuk mund të bëjë përcjelljen e MOSFET, duke ndërprerë kështu qarkun.

Së dyti, realizimi specifik i qarkut kundër kundërt MOSFET

1. Qarku kundër kundërt me MOSFET me kanal N

MOSFET-të me kanal N-kanal zakonisht përdoren për të realizuar qarqe kundër kundërt. Në qark, burimi (S) i MOSFET-it të kanalit N është i lidhur me terminalin negativ të ngarkesës, kullimi (D) është i lidhur me terminalin pozitiv të furnizimit me energji elektrike dhe porta (G) është e lidhur me terminali negativ i furnizimit me energji elektrike përmes një rezistence ose të kontrolluar nga një qark kontrolli.

Lidhja përpara: terminali pozitiv i furnizimit me energji është i lidhur me D, dhe terminali negativ është i lidhur me S. Në këtë kohë, rezistenca siguron tensionin e burimit të portës (VGS) për MOSFET, dhe kur VGS është më i madh se pragu Tensioni (Vth) i MOSFET-it, MOSFET-i përcjell dhe rryma rrjedh nga terminali pozitiv i furnizimit me energji elektrike në ngarkesë përmes MOSFET-it.

Kur përmbyset: terminali pozitiv i furnizimit me energji është i lidhur me S, dhe terminali negativ është i lidhur me D. Në këtë kohë, MOSFET është në gjendje ndërprerjeje dhe qarku shkëputet për të mbrojtur ngarkesën nga dëmtimi për shkak të tensionit të portës nuk është në gjendje të formojë një VGS të mjaftueshëm për të kryer sjelljen e MOSFET (VGS mund të jetë më pak se 0 ose shumë më pak se Vth).

2. Roli i komponentëve ndihmës

Rezistenca: Përdoret për të siguruar tensionin e burimit të portës për MOSFET dhe për të kufizuar rrymën e portës për të parandaluar dëmtimin e mbirrymës së portës.

Rregullatori i tensionit: një komponent opsional që përdoret për të parandaluar që tensioni i burimit të portës të jetë shumë i lartë dhe të prishë MOSFET-in.

Dioda parazitare: Një diodë parazitare (diodë e trupit) ekziston brenda MOSFET, por efekti i saj zakonisht injorohet ose shmanget nga dizajni i qarkut për të shmangur efektin e dëmshëm të saj në qarqet kundër kundërt.

Së treti, avantazhet e qarkut kundër kundërt MOSFET

 

Humbje e ulët: Rezistenca e ndezjes së MOSFET është e vogël, voltazhi në rezistencë është zvogëluar, kështu që humbja e qarkut është e vogël.

 

 

Besueshmëri e lartë: funksioni kundër kundërt mund të realizohet nëpërmjet një dizajni të thjeshtë qarku, dhe vetë MOSFET ka një shkallë të lartë besueshmërie.

 

Fleksibiliteti: modele të ndryshme MOSFET dhe modele qarku mund të zgjidhen për të përmbushur kërkesat e ndryshme të aplikimit.

 

Masa paraprake

 

Në projektimin e qarkut kundër kundërt MOSFET, duhet të siguroheni që zgjedhja e MOSFET-ve të përmbushë kërkesat e aplikimit, duke përfshirë tensionin, rrymën, shpejtësinë e kalimit dhe parametra të tjerë.

 

Është e nevojshme të merret parasysh ndikimi i komponentëve të tjerë në qark, si kapaciteti parazitar, induktiviteti parazitar, etj., në mënyrë që të shmangen efektet negative në performancën e qarkut.

 

Në aplikimet praktike, kërkohet gjithashtu testim dhe verifikim adekuat për të siguruar stabilitetin dhe besueshmërinë e qarkut.

 

Si përmbledhje, qarku kundër kundërt MOSFET është një skemë e thjeshtë, e besueshme dhe e mbrojtjes e furnizimit me energji me humbje të ulëta që përdoret gjerësisht në një sërë aplikacionesh që kërkojnë parandalimin e polaritetit të kundërt të energjisë.