MOSFET-ët (Tranzistor me efekt në terren me oksid metali-gjysmëpërçues) shpesh konsiderohen si pajisje plotësisht të kontrolluara. Kjo është për shkak se gjendja e funksionimit (ndezur ose fikur) e MOSFET kontrollohet plotësisht nga voltazhi i portës (Vgs) dhe nuk varet nga rryma bazë si në rastin e një transistori bipolar (BJT).
Në një MOSFET, voltazhi i portës Vgs përcakton nëse një kanal përcjellës formohet midis burimit dhe kullimit, si dhe gjerësinë dhe përçueshmërinë e kanalit përcjellës. Kur Vgs tejkalon tensionin e pragut Vt, kanali përcjellës formohet dhe MOSFET hyn në gjendjen e ndezur; kur Vgs bie nën Vt, kanali përcjellës zhduket dhe MOSFET është në gjendjen e ndërprerjes. Ky kontroll është plotësisht i kontrolluar sepse tensioni i portës mund të kontrollojë në mënyrë të pavarur dhe saktë gjendjen e funksionimit të MOSFET-it pa u mbështetur në parametra të tjerë të rrymës ose tensionit.
Në të kundërt, gjendja e funksionimit të pajisjeve gjysmë të kontrolluara (p.sh. tiristorët) nuk ndikohet vetëm nga voltazhi ose rryma e kontrollit, por edhe nga faktorë të tjerë (p.sh. tensioni i anodës, rryma, etj.). Si rezultat, pajisjet plotësisht të kontrolluara (p.sh. MOSFET) zakonisht ofrojnë performancë më të mirë për sa i përket saktësisë dhe fleksibilitetit të kontrollit.
Si përmbledhje, MOSFET-ët janë pajisje plotësisht të kontrolluara, gjendja e funksionimit të të cilave kontrollohet plotësisht nga voltazhi i portës dhe kanë avantazhet e saktësisë së lartë, fleksibilitetit të lartë dhe konsumit të ulët të energjisë.
Koha e postimit: Shtator-20-2024
