MOSFET (Tranzistor Metal-Oksid-Gjysmëpërçues Field-Effect) ka tre pole të cilat janë:
Porta:G, porta e një MOSFET është ekuivalente me bazën e një transistori bipolar dhe përdoret për të kontrolluar përcjelljen dhe ndërprerjen e MOSFET. Në MOSFET, voltazhi i portës (Vgs) përcakton nëse një kanal përçues është formuar midis burimit dhe kullimit, si dhe gjerësinë dhe përçueshmërinë e kanalit përçues. Porta është bërë nga materiale të tilla si metali, polisilikoni, etj., dhe është e rrethuar nga një shtresë izoluese (zakonisht dioksid silikoni) për të parandaluar që rryma të rrjedhë drejtpërdrejt në ose jashtë portës.
Burimi:S, burimi i një MOSFET është ekuivalent me emetuesin e një transistori bipolar dhe është vendi ku rrjedh rryma. Në MOSFET me kanal N, burimi zakonisht lidhet me terminalin negativ (ose tokëzimin) e furnizimit me energji elektrike, ndërsa në MOSFET me kanal P, burimi lidhet me terminalin pozitiv të furnizimit me energji elektrike. Burimi është një nga pjesët kyçe që formojnë kanalin përcjellës, i cili dërgon elektrone (kanali N) ose vrima (kanali P) në kullues kur tensioni i portës është mjaft i lartë.
Kullojeni:D, kullimi i një MOSFET është ekuivalent me kolektorin e një transistori bipolar dhe është vendi ku rrjedh rryma. Drenimi zakonisht lidhet me ngarkesën dhe vepron si një dalje e rrymës në qark. Në një MOSFET, kullimi është skaji tjetër i kanalit përçues dhe kur voltazhi i portës kontrollon formimin e një kanali përçues midis burimit dhe kullimit, rryma mund të rrjedhë nga burimi përmes kanalit përçues në kullues.
Me pak fjalë, porta e një MOSFET përdoret për të kontrolluar ndezjen dhe fikjen, burimi është vendi ku rrjedh rryma dhe kullimi është vendi ku rrjedh rryma. Së bashku, këto tre pole përcaktojnë gjendjen e funksionimit dhe performancën e MOSFET .
Koha e postimit: Shtator-26-2024
