I. Përkufizimi i MOSFET
Si një pajisje e drejtuar nga tensioni, me rrymë të lartë, MOSFET kanë një numër të madh aplikimesh në qarqe, veçanërisht në sistemet e energjisë. Diodat e trupit MOSFET, të njohura edhe si dioda parazitare, nuk gjenden në litografinë e qarqeve të integruara, por gjenden në pajisje të veçanta MOSFET, të cilat ofrojnë mbrojtje të kundërt dhe vazhdimësi të rrymës kur drejtohen nga rryma të larta dhe kur ka ngarkesa induktive.
Për shkak të pranisë së kësaj diode, pajisja MOSFET nuk mund të shihet thjesht duke kaluar në një qark, pasi në një qark karikimi ku karikimi përfundon, energjia hiqet dhe bateria kthehet nga jashtë, që zakonisht është një rezultat i padëshiruar.
Zgjidhja e përgjithshme është të shtoni një diodë në pjesën e pasme për të parandaluar furnizimin e kundërt me energji elektrike, por karakteristikat e diodës përcaktojnë nevojën për një rënie të tensionit përpara prej 0.6 ~ 1 V, e cila rezulton në një gjenerim serioz të nxehtësisë në rryma të larta ndërsa shkakton humbje të energjisë dhe reduktimin e efiçencës së përgjithshme të energjisë. Një metodë tjetër është të bashkëngjitni një MOSFET të njëpasnjëshëm, duke përdorur rezistencën e ulët të MOSFET-it për të arritur efikasitetin e energjisë.
Duhet të theksohet se pas përçueshmërisë, MOSFET-i është jo-drejtues, pra pas përçueshmërisë nën presion, është i barabartë me një tel, vetëm rezistent, pa rënie tensioni në gjendje, zakonisht i ngopur në rezistencë për disa miliohm nëmiliohm në kohë, dhe jo-drejtues, duke lejuar kalimin e energjisë DC dhe AC.
II. Karakteristikat e MOSFET-ve
1, MOSFET është një pajisje e kontrolluar nga tensioni, nuk nevojitet asnjë fazë shtytëse për të drejtuar rryma të larta;
2, Rezistencë e lartë e hyrjes;
3, diapazoni i gjerë i frekuencës së funksionimit, shpejtësia e lartë e ndërrimit, humbja e ulët
4, AC rezistencë të lartë të rehatshme, zhurmë të ulët.
5,Përdorimi i shumëfishtë paralel, rrit rrymën e daljes
Së dyti, përdorimi i MOSFET-ve në procesin e masave paraprake
1, për të siguruar përdorimin e sigurt të MOSFET, në projektimin e linjës, nuk duhet të tejkalojë shpërndarjen e fuqisë së tubacionit, tensionin maksimal të burimit të rrjedhjes, tensionin e burimit të portës dhe rrymën dhe vlerat e tjera kufitare të parametrave.
2, lloje të ndryshme të MOSFET-ve në përdorim, duhettë jetë rreptësisht në në përputhje me aksesin e kërkuar të paragjykimit në qark, në përputhje me polaritetin e kompensimit MOSFET.
3. Gjatë instalimit të MOSFET-it, kushtojini vëmendje pozicionit të instalimit për të shmangur afërsinë me elementin ngrohës. Për të parandaluar dridhjet e pajisjeve, guaska duhet të shtrëngohet; Përkulja e prizave të kunjave duhet të kryhet në më shumë se madhësia e rrënjës prej 5 mm për të parandaluar që kunja të përkulet dhe të rrjedhë.
4, për shkak të rezistencës jashtëzakonisht të lartë të hyrjes, MOSFET-ët duhet të shkurtohen nga kunja gjatë transportit dhe ruajtjes dhe të paketohen me mburojë metalike për të parandaluar prishjen e mundshme të jashtme të portës.
5. Tensioni i portës së MOSFET-ve të kryqëzimit nuk mund të kthehet mbrapsht dhe mund të ruhet në një gjendje qarku të hapur, por rezistenca hyrëse e MOSFET-ve me portë të izoluar është shumë e lartë kur ato nuk janë në përdorim, kështu që çdo elektrodë duhet të jetë me qark të shkurtër. Kur bashkoni MOSFET me portë të izoluar, ndiqni rendin e portës së kullimit të burimit dhe bashkojini me fikje.
Për të siguruar përdorimin e sigurt të MOSFET-ve, duhet të kuptoni plotësisht karakteristikat e MOSFET-ve dhe masat paraprake që duhen marrë gjatë përdorimit të procesit, shpresoj se përmbledhja e mësipërme do t'ju ndihmojë.
Koha e postimit: Maj-15-2024
