Rrjedha e testimit MOSFET

Koha e postimit: Maj-25-2024

Rrjedha e zbulimit të MOSFET MOSFET-ët, si një nga pajisjet më themelore në fushën e gjysmëpërçuesve, përdoren gjerësisht në dizajne të ndryshme produktesh dhe qarqe të nivelit të tabelës. Sidomos në fushën e gjysmëpërçuesve me fuqi të lartë, MOSFET-et e strukturave të ndryshme luajnë një rol të pazëvendësueshëm. Natyrisht, shkalla e lartë e përdorimit tëMOSFET ka sjellë disa probleme të vogla. Një nga problemet e rrjedhjeve të MOSFET, vende të ndryshme kanë zgjidhje të ndryshme, kështu që ne kemi organizuar disa metoda efektive të zgjidhjes së problemeve për referencën tuaj.

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspecten:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende process uit te voeren:

1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET lekkage; zal niet veranderen është er geen problem;

2, zal een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dhe është de MOSFET është geen problem;

3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET, een goede meter stick markering moet geen grote armen;

4, met een weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal markering ka mbaruar het algemeen zal 0 zijn, op het momenti eshte onder de Positieve Elektriciteit op bazës van deze weerstand aan de MOSFET gate baterij opladen, çfarë rezulton në derën e portës elektrike elektrike, als gevolg van elektrisch veld Rezultati në geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de drain en bron pool pass digitale, z, z. groter de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.