Analizimi i MOSFET-ve të rritjes dhe zbrazjes

D-FET është në paragjykim porta 0 kur ekzistenca e kanalit, mund të kryejë FET; E-FET është në paragjykimin e portës 0 kur nuk ka kanal, nuk mund të kryejë FET. këto dy lloje FET kanë karakteristikat dhe përdorimet e tyre. Në përgjithësi, FET i përmirësuar në qarqet me shpejtësi të lartë dhe me fuqi të ulët është shumë i vlefshëm; dhe kjo pajisje po funksionon, është polariteti i paragjykimit të portës voltage dhe kullim tension i njëjtë, është më i përshtatshëm në hartimin e qarkut.

Të ashtuquajturat mjete të zgjeruara: kur tubi VGS = 0 është një gjendje ndërprerjeje, plus VGS e saktë, shumica e transportuesve tërhiqen nga porta, duke "rritur" kështu transportuesit në rajon, duke formuar një kanal përçues. MOSFET i zgjeruar me kanal n është në thelb një topologji simetrike majtas-djathtas, e cila është gjysmëpërçuesi i tipit P në gjenerimin e një shtrese të izolimit të filmit SiO2. Ai gjeneron një shtresë izoluese të filmit SiO2 në gjysmëpërçuesin e tipit P, dhe më pas shpërndan dy rajone të tipit N shumë të dopuar ngafotolitografi, dhe çon elektroda nga rajoni i tipit N, një për kullimin D dhe një për burimin S. Një shtresë metali alumini është veshur në shtresën izoluese midis burimit dhe kullimit si porta G. Kur VGS = 0 V , ka mjaft dioda me dioda të pasme midis kullimit dhe burimit dhe tensioni midis D dhe S nuk krijon një rrymë midis D dhe S. Rryma midis D dhe S nuk formohet nga tensioni i aplikuar.

Kur shtohet voltazhi i portës, nëse 0 < VGS < VGS(th), përmes fushës elektrike kapacitative të formuar midis portës dhe nënshtresës, vrimat e polionit në gjysmëpërçuesin e tipit P pranë pjesës së poshtme të portës zmbrapsen poshtë, dhe shfaqet një shtresë e hollë zbrazjeje e joneve negative; në të njëjtën kohë, ajo do të tërheqë oligonët në të për të lëvizur në shtresën sipërfaqësore, por numri është i kufizuar dhe i pamjaftueshëm për të formuar një kanal përçues që komunikon kullimin dhe burimin, kështu që është ende i pamjaftueshëm për të formuar ID-në e rrymës së kullimit. rritje të mëtejshme VGS, kur VGS > VGS (th) (VGS (th) quhet tension i ndezjes), sepse në këtë kohë tensioni i portës ka qenë relativisht i fortë, në shtresën sipërfaqësore gjysmëpërçuese të tipit P afër fundit të portës nën grumbullimin e më shumë elektronet, ju mund të formoni një llogore, kullimin dhe burimin e komunikimit. Nëse tensioni i burimit të kullimit shtohet në këtë kohë, rryma e kullimit mund të formohet ID. elektronet në kanalin përçues të formuar poshtë portës, për shkak të vrimës bartëse me polaritet gjysmëpërçues të tipit P është i kundërt, kështu që quhet shtresa anti-tip. Ndërsa VGS vazhdon të rritet, ID do të vazhdojë të rritet. ID = 0 në VGS = 0V, dhe rryma e shkarkimit ndodh vetëm pas VGS > VGS(th), kështu që, ky lloj MOSFET quhet MOSFET përmirësues.

Marrëdhënia e kontrollit të VGS në rrymën e shkarkimit mund të përshkruhet nga kurba iD = f(VGS(th))|VDS=const, e cila quhet kurba karakteristike e transferimit, dhe madhësia e pjerrësisë së lakores karakteristike të transferimit, gm, pasqyron kontrollin e rrymës së kullimit nga tensioni i burimit të portës. madhësia e gm është mA/V, kështu që gm quhet edhe transpërçueshmëri.