WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

produkteve

WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

përshkrim i shkurtër:


  • Numri i modelit:WSP4888
  • BVDSS:30 V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ID:9.8A
  • Kanali:N-kanal i dyfishtë
  • Paketa:SOP-8
  • Përmbledhja e produktit:Tensioni i WSP4888 MOSFET është 30V, rryma është 9.8A, rezistenca është 13.5mΩ, kanali është Dual N-Channel dhe paketa është SOP-8.
  • Aplikimet:Cigare elektronike, karikues me valë, motorë, dronë, kujdes shëndetësor, karikues makinash, kontrolle, pajisje dixhitale, pajisje të vogla dhe pajisje elektronike për konsumatorët.
  • Detajet e produktit

    Aplikimi

    Etiketat e produktit

    Përshkrimi i përgjithshëm

    WSP4888 është një transistor me performancë të lartë me një strukturë të dendur qelize, ideale për t'u përdorur në konvertuesit sinkron buck. Ai krenohet me tarifa të shkëlqyera RDSON dhe porta, duke e bërë atë një zgjedhje të mirë për këto aplikacione. Për më tepër, WSP4888 plotëson kërkesat RoHS dhe Green Product dhe vjen me një garanci 100% EAS për funksionim të besueshëm.

    Veçoritë

    Teknologjia e avancuar e kanalit përmban densitet të lartë të qelizave dhe ngarkesë super të ulët të portës, duke reduktuar ndjeshëm efektin CdV/dt. Pajisjet tona vijnë me një garanci 100% EAS dhe opsione miqësore me mjedisin.

    MOSFET-ët tanë i nënshtrohen masave të rrepta të kontrollit të cilësisë për të siguruar që ato përmbushin standardet më të larta të industrisë. Çdo njësi është testuar tërësisht për performancën, qëndrueshmërinë dhe besueshmërinë, duke siguruar një jetë të gjatë produkti. Dizajni i tij i fortë i mundëson t'i rezistojë kushteve ekstreme të punës, duke siguruar funksionalitet të pandërprerë të pajisjeve.

    Çmime konkurruese: Pavarësisht cilësisë së tyre superiore, MOSFET-ët tanë kanë çmime shumë konkurruese, duke siguruar kursime të konsiderueshme në kosto pa kompromentuar performancën. Ne besojmë se të gjithë konsumatorët duhet të kenë akses në produkte me cilësi të lartë dhe strategjia jonë e çmimeve pasqyron këtë angazhim.

    Përputhshmëri e gjerë: MOSFET-ët tanë janë të pajtueshëm me një sërë sistemesh elektronike, duke i bërë ato një zgjedhje të gjithanshme për prodhuesit dhe përdoruesit përfundimtarë. Ai integrohet pa probleme në sistemet ekzistuese, duke rritur performancën e përgjithshme pa kërkuar modifikime të mëdha të dizajnit.

    Aplikacionet

    Konvertuesi sinkron i ngarkesës me frekuencë të lartë për përdorim në sistemet MB/NB/UMPC/VGA, sistemet e energjisë DC-DC në rrjet, ndërprerësit e ngarkesës, cigaret elektronike, karikuesit me valë, motorët, dronët, pajisjet mjekësore, karikuesit e makinave, kontrollorët , Produkte dixhitale, pajisje shtëpiake të vogla dhe elektronikë për konsumatorë.

    numrin përkatës të materialit

    AOS AO4832 AO4838 AO4914,NË NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

    Parametra të rëndësishëm

    Simboli Parametri Vlerësimi Njësitë
    VDS Tensioni i burimit të shkarkimit 30 V
    VGS Tensioni i portës-burim ±20 V
    ID@TC=25℃ Rryma e shkarkimit të vazhdueshëm, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70℃ Rryma e shkarkimit të vazhdueshëm, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Rryma e shkarkimit pulsues2 45 A
    EAS Energjia e ortekëve me puls të vetëm3 25 mJ
    SNK Rryma e ortekut 12 A
    PD@TA=25℃ Shpërndarja totale e energjisë 4 2.0 W
    TSTG Gama e temperaturës së ruajtjes -55 deri në 150
    TJ Gama e temperaturës së kryqëzimit operativ -55 deri në 150
    Simboli Parametri Kushtet Min. Tip. Maks. Njësia
    BVDSS Tensioni i prishjes së burimit të shkarkimit VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Koeficienti i temperaturës BVDSS Referenca për 25℃, ID=1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS (ON) Burimi statik i kullimit në rezistencë2 VGS=10V, ID=8.5A --- 13.5 18
           
        VGS=4.5V, ID=5A --- 18 25  
    VGS (të) Tensioni i pragut të portës VGS=VDS, ID =250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS (të) Koeficienti i temperaturës VGS(th).   --- -5.8 --- mV/℃
    IDSS Rryma e rrjedhjes së burimit të shkarkimit VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Rryma e rrjedhjes së portës së burimit VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transpërcjellshmëria përpara VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Rezistenca e portës VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Ngarkesa totale e portës (4,5 V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=8.8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Ngarkesa me portë-burim --- 1.5 ---
    Qgd Ngarkesa e portës-kullimit --- 2.5 ---
    Td(on) Koha e vonesës së ndezjes VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Koha e Ngritjes --- 9.2 19
    Td (off) Koha e vonesës së fikjes --- 19 34
    Tf Koha e vjeshtës --- 4.2 8
    Ciss Kapaciteti i hyrjes VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    Coss Kapaciteti i daljes --- 98 112
    Crss Kapaciteti i transferimit të kundërt --- 59 91

  • E mëparshme:
  • Tjetër:

  • Shkruani mesazhin tuaj këtu dhe na dërgoni