WSF4022 me dy kanale N 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

përshkrim i shkurtër:

Numri i modelit:WSF4022

BVDSS:40 V

RDSON:21 mΩ

ID:20 A

Kanali:N-kanal i dyfishtë

Paketa:TO-252-4L

Përmbledhja e produktit:Tensioni i WSF30150 MOSFET është 40V, rryma është 20A, rezistenca është 21mΩ, kanali është Dual N-Channel dhe paketa është TO-252-4L.

Aplikimet:Cigare elektronike, karikim me valë, motorë, furnizime me energji urgjente, drone, kujdes mjekësor, karikues makinash, kontrollorë, produkte dixhitale, pajisje të vogla shtëpiake, elektronikë të konsumit.

Na dërgoni email PDF

Detajet e produktit

Aplikimi

Etiketat e produktit

Përshkrimi i përgjithshëm

WSF4022 është kanali më i lartë i performancës Dual N-Ch MOSFET me densitet ekstrem të lartë të qelizave, i cili siguron RDSON të shkëlqyer dhe ngarkesë të portës për shumicën e aplikacioneve të konvertuesit sinkron. besueshmëria e miratuar.

Veçoritë

Për H-Bridge para drejtuesit të ventilatorit, kontrollin e motorit, korrigjimin sinkron, cigaret elektronike, karikimin me valë, motorët, furnizimet me energji urgjente, dronët, kujdesin mjekësor, karikuesit e makinave, kontrollorët, produktet dixhitale, pajisjet e vogla shtëpiake, elektronikën e konsumit.

Aplikacionet

numrin përkatës të materialit

AOS

Parametra të rëndësishëm

Simboli	Parametri		Vlerësimi	Njësitë
VDS	Tensioni i burimit të shkarkimit		40	V
VGS	Tensioni i portës-burim		±20	V
ID	Rryma e kullimit (e vazhdueshme) *AC	TC=25°C	20*	A
ID	Rryma e kullimit (e vazhdueshme) *AC	TC=100°C	20*	A
ID	Rryma e kullimit (e vazhdueshme) *AC	TA=25°C	12.2	A
ID	Rryma e kullimit (e vazhdueshme) *AC	TA=70°C	10.2	A
IDMa	Rryma e kullimit me pulsim	TC=25°C	80*	A
EASb	Energjia e ortekëve me puls të vetëm	L=0.5mH	25	mJ
SNK b	Rryma e ortekut	L=0.5mH	17.8	A
PD	Shpërndarja maksimale e energjisë	TC=25°C	39.4	W
PD	Shpërndarja maksimale e energjisë	TC=100°C	19.7	W
PD	Shpërndarja e energjisë	TA=25°C	6.4	W
PD	Shpërndarja e energjisë	TA=70°C	4.2	W
TJ	Gama e temperaturës së kryqëzimit operativ		175	℃
TSTG	Temperatura e funksionimit/ Temperatura e ruajtjes		-55~175	℃
RθJA b	Kryqëzimi i Rezistencës Termike-Ambient	Gjendja e qëndrueshme c	60	℃/W
RθJC	Kryqëzimi i rezistencës termike në kasë		3.8	℃/W

Simboli	Parametri	Kushtet	Min.	Tip.	Maks.	Njësia
Statike
V(BR)DSS	Tensioni i prishjes së burimit të shkarkimit	VGS = 0V, ID = 250μA	40			V
IDSS	Rryma e shkarkimit të tensionit të portës zero	VDS = 32V, VGS = 0V			1	µA
IDSS	Rryma e shkarkimit të tensionit të portës zero	VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C			30	µA
IGSS	Rryma e rrjedhjes së portës	VGS = ±20V, VDS = 0V			±100	nA
VGS (të)	Tensioni i pragut të portës	VGS = VDS, IDS = 250µA	1.1	1.6	2.5	V
RDS(on) d	Rezistenca mbi gjendjen e burimit të kullimit	VGS = 10V, ID = 10A		16	21	mΩ
RDS(on) d	Rezistenca mbi gjendjen e burimit të kullimit	VGS = 4.5V, ID = 5A		18	25	mΩ
Ngarkuesi i portës
Qg	Ngarkesa totale e portës	VDS=20V,VGS=4.5V, ID=10A		7.5		nC
Qgs	Ngarkesa me portë-burim			3.24		nC
Qgd	Ngarkesa e portës-kullimit			2.75		nC
Dinamika
Ciss	Kapaciteti i hyrjes	VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz		815		pF
Coss	Kapaciteti i daljes			95		pF
Crss	Kapaciteti i transferimit të kundërt			60		pF
td (on)	Koha e vonesës së ndezjes	VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω.		7.8		ns
tr	Koha e ngritjes së ndezjes			6.9		ns
td (off)	Koha e vonesës së fikjes			22.4		ns
tf	Koha e fikjes së vjeshtës			4.8		ns
Diodë
VSDd	Tensioni përpara i diodës	ISD=1A, VGS=0V		0.75	1.1	V
trr	Kapaciteti i hyrjes	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		13		ns
Qrr	Kapaciteti i daljes	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		8.7		nC