WSD75100DN56 me kanal N 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkteve

WSD75100DN56 me kanal N 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Përshkrim i shkurtër:

Numri i pjesës:WSD75100DN56

BVDSS:75 V

ID:100A

RDSON:5.3 mΩ 

Kanali:Kanali N

Paketa:DFN5X6-8


Detajet e produktit

Aplikacion

Etiketat e produktit

Përmbledhje e produktit WINSOK MOSFET

Tensioni i MOSFET WSD75100DN56 është 75V, rryma është 100A, rezistenca është 5.3mΩ, kanali është kanal N dhe paketa është DFN5X6-8.

Zonat e aplikimit WINSOK MOSFET

Cigare elektronike MOSFET, karikim me valë MOSFET, dronë MOSFET, kujdes mjekësor MOSFET, karikues makinash MOSFET, kontrollorë MOSFET, produkte dixhitale MOSFET, pajisje të vogla shtëpiake MOSFET, elektronikë të konsumit MOSFET.

WINSOK MOSFET korrespondon me numrat e materialeve të markave të tjera

AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMikroelektronikë MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET7PONSC4. FET PDC7966X.

Parametrat e MOSFET

Simboli

Parametri

Vlerësimi

Njësitë

VDS

Tensioni i burimit të shkarkimit

75

V

VGS

Gate-Source Tensioni

±25

V

TJ

Temperatura maksimale e kryqëzimit

150

°C

ID

Gama e temperaturës së ruajtjes

-55 deri në 150

°C

IS

Rryma e vazhdueshme e diodës përpara, TC=25°C

50

A

ID

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS=10V,TC=100°C

73

A

IDM

Rryma e kullimit të pulsuar, TC=25°C

400

A

PD

Shpërndarja maksimale e fuqisë, TC=25°C

155

W

Shpërndarja maksimale e fuqisë, TC=100°C

62

W

RθJA

Rezistenca termike-Kryqëzimi me Ambientin ,t =10s ̀

20

°C

Rezistenca termike-Kryqëzim me ambientin, gjendje të qëndrueshme

60

°C

RqJC

Rezistenca termike-Kryqëzimi me kasë

0.8

°C

SNK

Rryma e ortekut, pulsi i vetëm, L=0.5mH

30

A

EAS

Energjia e ortekut, impuls i vetëm, L=0.5mH

225

mJ

 

Simboli

Parametri

Kushtet

Min.

Tip.

Maks.

Njësia

BVDSS

Tensioni i prishjes së burimit të shkarkimit VGS=0V, ID= 250 uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoeficienti i temperaturës Referenca për 25, uneD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (ON)

Burimi statik i kullimit në rezistencë2 VGS=10V, ID=25A

---

5.3

6.4

mΩ

VGS (të)

Tensioni i pragut të portës VGS=VDS, uneD= 250 uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS (th)

VGS (th)Koeficienti i temperaturës

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Rryma e rrjedhjes së burimit të shkarkimit VDS=48V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Rryma e rrjedhjes së portës së burimit VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transpërcjellshmëria përpara VDS= 5 V, ID=20A

---

50

---

S

Rg

Rezistenca e portës VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

Ngarkesa totale e portës (10 V) VDS= 20 V, VGS= 10 V, ID=40A

---

65

85

nC

Qgs

Ngarkesa me portë-burim

---

20

---

Qgd

Ngarkesa e portës-kullimit

---

17

---

Td(on)

Koha e vonesës së ndezjes VDD= 30 V, VGJEN= 10 V, RG=1Ω, uneD=1A ,RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

Koha e Ngritjes

---

14

26

Td (off)

Koha e vonesës së fikjes

---

60

108

Tf

Koha e vjeshtës

---

37

67

Ciss

Kapaciteti i hyrjes VDS= 20 V, VGS=0V, f=1MHz

3450

3500 4550

pF

Coss

Kapaciteti i daljes

245

395

652

Crss

Kapaciteti i transferimit të kundërt

100

195

250


  • E mëparshme:
  • Tjetër:

  • Shkruani mesazhin tuaj këtu dhe na dërgoni