WSD60N12GDN56 N-kanal 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkteve

WSD60N12GDN56 N-kanal 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Përshkrim i shkurtër:

Numri i pjesës:WSD60N12GDN56

BVDSS:120 V

ID:70 A

RDSON:10 mΩ

Kanali:Kanali N

Paketa:DFN5X6-8


Detajet e produktit

Aplikacion

Etiketat e produktit

Përmbledhje e produktit WINSOK MOSFET

Tensioni i WSD60N12GDN56 MOSFET është 120V, rryma është 70A, rezistenca është 10mΩ, kanali është kanal N dhe paketa është DFN5X6-8.

Zonat e aplikimit WINSOK MOSFET

Pajisje mjekësore MOSFET, drone MOSFET, PD furnizime me energji MOSFET, Furnizime me energji LED MOSFET, pajisje industriale MOSFET.

Fushat e aplikimit MOSFETWINSOK MOSFET korrespondon me numrat e materialeve të markave të tjera

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Gjysem perçues MOSFET PDC974X.

Parametrat e MOSFET

Simboli

Parametri

Vlerësimi

Njësitë

VDS

Tensioni i burimit të shkarkimit

120

V

VGS

Tensioni i portës-burim

±20

V

ID@TC= 25 ℃

Rryma e kullimit të vazhdueshëm

70

A

IDP

Rryma e kullimit me pulsim

150

A

EAS

Energjia e ortekut, pulsi i vetëm

53.8

mJ

PD@TC= 25 ℃

Shpërndarja totale e energjisë

140

W

TSTG

Gama e temperaturës së ruajtjes

-55 deri në 150

TJ 

Gama e temperaturës së kryqëzimit operativ

-55 deri në 150

 

Simboli

Parametri

Kushtet

Min.

Tip.

Maks.

Njësia

BVDSS 

Tensioni i prishjes së burimit të shkarkimit VGS=0V, ID= 250 uA

120

---

---

V

  Burimi statik i kullimit në rezistencë VGS=10V,ID=10A.

---

10

15

RDS (ON)

VGS=4.5V,ID=10A.

---

18

25

VGS (të)

Tensioni i pragut të portës VGS=VDS, uneD= 250 uA

1.2

---

2.5

V

IDSS

Rryma e rrjedhjes së burimit të shkarkimit VDS= 80 V, VGS=0V, TJ= 25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Rryma e rrjedhjes së portës së burimit VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Ngarkesa totale e portës (10 V) VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID=25A

---

33

---

nC

Qgs 

Ngarkesa me portë-burim

---

5.6

---

Qgd 

Ngarkesa e portës-kullimit

---

7.2

---

Td(on)

Koha e vonesës së ndezjes VDD= 50 V, VGS= 10 V,

RG=2Ω, ID=25A

---

22

---

ns

Tr 

Koha e Ngritjes

---

10

---

Td (off)

Koha e vonesës së fikjes

---

85

---

Tf 

Koha e vjeshtës

---

112

---

Ciss 

Kapaciteti i hyrjes VDS= 50 V, VGS=0V, f=1MHz

---

2640

---

pF

Coss

Kapaciteti i daljes

---

330

---

Crss 

Kapaciteti i transferimit të kundërt

---

11

---

IS 

Rryma e vazhdueshme e burimit VG=VD=0V, Rryma e forcës

---

---

50

A

ISP

Rryma e burimit pulsues

---

---

150

A

VSD

Tensioni përpara i diodës VGS=0V, IS=12A, TJ= 25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

Koha e kundërt e rikuperimit IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ= 25 ℃

---

62

---

nS

Qrr 

Tarifa e kundërt e rikuperimit

---

135

---

nC

 


  • E mëparshme:
  • Tjetër:

  • Shkruani mesazhin tuaj këtu dhe na dërgoni