WSD6070DN56 me kanal N 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkteve

WSD6070DN56 me kanal N 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Përshkrim i shkurtër:

Numri i pjesës:WSD6070DN56

BVDSS:60 V

ID:80 A

RDSON:7.3 mΩ 

Kanali:Kanali N

Paketa:DFN5X6-8


Detajet e produktit

Aplikacion

Etiketat e produktit

Përmbledhje e produktit WINSOK MOSFET

Tensioni i WSD6070DN56 MOSFET është 60V, rryma është 80A, rezistenca është 7.3mΩ, kanali është kanal N dhe paketa është DFN5X6-8.

Zonat e aplikimit WINSOK MOSFET

Cigare elektronike MOSFET, karikim me valë MOSFET, motorë MOSFET, dronë MOSFET, kujdes mjekësor MOSFET, karikues makinash MOSFET, kontrollorë MOSFET, produkte digjitale MOSFET, pajisje të vogla shtëpiake MOSFET, elektronikë të konsumit MOSFET.

WINSOK MOSFET korrespondon me numrat e materialeve të markave të tjera

POTENS gjysmëpërçues MOSFET PDC696X.

Parametrat e MOSFET

Simboli

Parametri

Vlerësimi

Njësitë

VDS

Tensioni i burimit të shkarkimit

60

V

VGS

Gate-Source Tensioni

±20

V

TJ

Temperatura maksimale e kryqëzimit

150

°C

ID

Gama e temperaturës së ruajtjes

-55 deri në 150

°C

IS

Rryma e vazhdueshme e diodës përpara, TC=25°C

80

A

ID

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS=10V,TC=25°C

80

A

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS=10V,TC=100°C

66

A

IDM

Rryma e kullimit të pulsuar, TC=25°C

300

A

PD

Shpërndarja maksimale e fuqisë, TC=25°C

150

W

Shpërndarja maksimale e fuqisë, TC=100°C

75

W

RθJA

Rezistenca termike-Kryqëzimi me Ambientin ,t =10s ̀

50

°C/W

Rezistenca termike-Kryqëzim me ambientin, gjendje të qëndrueshme

62.5

°C/W

RqJC

Rezistenca termike-Kryqëzimi me kasë

1

°C/W

SNK

Rryma e ortekut, pulsi i vetëm, L=0.5mH

30

A

EAS

Energjia e ortekut, impuls i vetëm, L=0.5mH

225

mJ

 

Simboli

Parametri

Kushtet

Min.

Tip.

Maks.

Njësia

BVDSS

Tensioni i prishjes së burimit të shkarkimit VGS=0V, ID= 250 uA

60

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoeficienti i temperaturës Referenca për 25, uneD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (ON)

Burimi statik i kullimit në rezistencë2 VGS=10V, ID=40A

---

7.0

9.0

mΩ

VGS (të)

Tensioni i pragut të portës VGS=VDS, uneD= 250 uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS (të)

VGS (th)Koeficienti i temperaturës

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Rryma e rrjedhjes së burimit të shkarkimit VDS=48V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Rryma e rrjedhjes së portës së burimit VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transpërcjellshmëria përpara VDS= 5 V, ID=20A

---

50

---

S

Rg

Rezistenca e portës VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Ngarkesa totale e portës (10 V) VDS= 30 V, VGS= 10 V, ID=40A

---

48

---

nC

Qgs

Ngarkesa me portë-burim

---

17

---

Qgd

Ngarkesa e portës-kullimit

---

12

---

Td(on)

Koha e vonesës së ndezjes VDD= 30 V, VGJEN= 10 V, RG=1Ω, uneD=1A ,RL=15Ω.

---

16

---

ns

Tr

Koha e Ngritjes

---

10

---

Td (off)

Koha e vonesës së fikjes

---

40

---

Tf

Koha e vjeshtës

---

35

---

Ciss

Kapaciteti i hyrjes VDS= 30 V, VGS=0V, f=1MHz

---

2680

---

pF

Coss

Kapaciteti i daljes

---

386

---

Crss

Kapaciteti i transferimit të kundërt

---

160

---


  • E mëparshme:
  • Tjetër:

  • Shkruani mesazhin tuaj këtu dhe na dërgoni