WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkteve

WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Përshkrim i shkurtër:

Numri i pjesës:WSD45N10GDN56

BVDSS:100 V

ID:45A

RDSON:14,5 mΩ

Kanali:Kanali N

Paketa:DFN5X6-8


Detajet e produktit

Aplikacion

Etiketat e produktit

Përmbledhje e produktit WINSOK MOSFET

Tensioni i WSD45N10GDN56 MOSFET është 100V, rryma është 45A, rezistenca është 14.5mΩ, kanali është me kanal N dhe paketa është DFN5X6-8.

Zonat e aplikimit WINSOK MOSFET

Cigare elektronike MOSFET, karikim me valë MOSFET, motorë MOSFET, dronë MOSFET, kujdes mjekësor MOSFET, karikues makinash MOSFET, kontrollorë MOSFET, produkte digjitale MOSFET, pajisje të vogla shtëpiake MOSFET, elektronikë të konsumit MOSFET.

WINSOK MOSFET korrespondon me numrat e materialeve të markave të tjera

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Gjysem perçues MOSFET PDC966X.

Parametrat e MOSFET

Simboli

Parametri

Vlerësimi

Njësitë

VDS

Tensioni i burimit të shkarkimit

100

V

VGS

Gate-Source Tensioni

±20

V

ID@TC=25

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS@ 10 V

45

A

ID@TC= 100

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS@ 10 V

33

A

ID@TA=25

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS@ 10 V

12

A

ID@TA=70

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS@ 10 V

9.6

A

IDMa

Rryma e kullimit me pulsim

130

A

EASb

Energjia e ortekëve me puls të vetëm

169

mJ

IASb

Rryma e ortekut

26

A

PD@TC=25

Shpërndarja totale e energjisë

95

W

PD@TA=25

Shpërndarja totale e energjisë

5.0

W

TSTG

Gama e temperaturës së ruajtjes

-55 deri në 150

TJ

Gama e temperaturës së kryqëzimit operativ

-55 deri në 150

 

Simboli

Parametri

Kushtet

Min.

Tip.

Maks.

Njësia

BVDSS

Tensioni i prishjes së burimit të shkarkimit VGS=0V, ID= 250 uA

100

---

---

V

BVDSS/△TJ

Koeficienti i temperaturës BVDSS Referenca për 25, uneD= 1 mA

---

0.0

---

V/

RDS (ON)d

Burimi statik i kullimit në rezistencë2 VGS= 10 V, ID=26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS (të)

Tensioni i pragut të portës VGS=VDS, uneD= 250 uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS (th)

VGS (th)Koeficienti i temperaturës

---

-5   mV/

IDSS

Rryma e rrjedhjes së burimit të shkarkimit VDS= 80 V, VGS=0V, TJ=25

---

- 1

uA

VDS= 80 V, VGS=0V, TJ=55

---

- 30

IGSS

Rryma e rrjedhjes së portës së burimit VGS=±20 V, VDS=0V

---

- ±100

nA

Rge

Rezistenca e portës VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Ngarkesa totale e portës (10 V) VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID=26A

---

42

59

nC

Qgse

Ngarkesa me portë-burim

---

12

--

Qgde

Ngarkesa e portës-kullimit

---

12

---

Td(on)e

Koha e vonesës së ndezjes VDD= 30 V, VGJEN= 10 V, RG=6Ω

ID=1A ,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Koha e Ngritjes

---

9

17

Td (off)e

Koha e vonesës së fikjes

---

36

65

Tfe

Koha e vjeshtës

---

22

40

Cisse

Kapaciteti i hyrjes VDS= 30 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Kapaciteti i daljes

---

215

---

Crsse

Kapaciteti i transferimit të kundërt

---

42

---


  • E mëparshme:
  • Tjetër:

  • Shkruani mesazhin tuaj këtu dhe na dërgoni