WSD40200DN56G me kanal N 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkteve

WSD40200DN56G me kanal N 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Përshkrim i shkurtër:

Numri i pjesës:WSD40200DN56G

BVDSS:40 V

ID:180 A

RDSON:1,15 mΩ 

Kanali:Kanali N

Paketa:DFN5X6-8


Detajet e produktit

Aplikacion

Etiketat e produktit

Përmbledhje e produktit WINSOK MOSFET

Tensioni i MOSFET WSD40120DN56G është 40V, rryma është 120A, rezistenca është 1.4mΩ, kanali është kanal N dhe paketa është DFN5X6-8.

Zonat e aplikimit WINSOK MOSFET

Cigare elektronike MOSFET, karikim me valë MOSFET, dronë MOSFET, kujdes mjekësor MOSFET, karikues makinash MOSFET, kontrollorë MOSFET, produkte dixhitale MOSFET, pajisje të vogla shtëpiake MOSFET, elektronikë të konsumit MOSFET.

WINSOK MOSFET korrespondon me numrat e materialeve të markave të tjera

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMikroelektronikë MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Gjysmëpërçues MOSFET PDC496X.

Parametrat e MOSFET

Simboli

Parametri

Vlerësimi

Njësitë

VDS

Tensioni i burimit të shkarkimit

40

V

VGS

Gate-Source Tensioni

±20

V

ID@TC=25

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS@ 10 V1

120

A

ID@TC= 100

Rryma e kullimit të vazhdueshëm, VGS@ 10 V1

82

A

IDM

Rryma e kullimit me pulsim2

400

A

EAS

Energjia e ortekëve me puls të vetëm3

400

mJ

SNK

Rryma e ortekut

40

A

PD@TC=25

Shpërndarja totale e energjisë4

125

W

TSTG

Gama e temperaturës së ruajtjes

-55 deri në 150

TJ

Gama e temperaturës së kryqëzimit operativ

-55 deri në 150

 

Simboli

Parametri

Kushtet

Min.

Tip.

Maks.

Njësia

BVDSS

Tensioni i prishjes së burimit të shkarkimit VGS=0V, ID= 250 uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoeficienti i temperaturës Referenca për 25, uneD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (ON)

Burimi statik i kullimit në rezistencë2 VGS=10V, ID=20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS (ON)

Burimi statik i kullimit në rezistencë2 VGS=4.5V, ID=20A

---

2.0

2.6

VGS (të)

Tensioni i pragut të portës VGS=VDS, uneD= 250 uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS (th)

VGS (th)Koeficienti i temperaturës

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Rryma e rrjedhjes së burimit të shkarkimit VDS= 32 V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS= 32 V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Rryma e rrjedhjes së portës së burimit VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transpërcjellshmëria përpara VDS= 5 V, ID=20A

---

53

---

S

Rg

Rezistenca e portës VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Ngarkesa totale e portës (10 V) VDS= 15 V, VGS= 10 V, ID=20A

---

45

---

nC

Qgs

Ngarkesa me portë-burim

---

12

---

Qgd

Ngarkesa e portës-kullimit

---

18.5

---

Td(on)

Koha e vonesës së ndezjes VDD= 15 V, VGJEN= 10 V, RG=3.3Ω, uneD=20A ,RL=15Ω.

---

18.5

---

ns

Tr

Koha e Ngritjes

---

9

---

Td (off)

Koha e vonesës së fikjes

---

58.5

---

Tf

Koha e vjeshtës

---

32

---

Ciss

Kapaciteti i hyrjes VDS= 20 V, VGS=0V, f=1MHz --- 3972 ---

pF

Coss

Kapaciteti i daljes

---

1119 ---

Crss

Kapaciteti i transferimit të kundërt

---

82

---

  • E mëparshme:
  • Tjetër:

  • Shkruani mesazhin tuaj këtu dhe na dërgoni