WSD100N15DN56G me kanal N 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Numri i pjesës:WSD100N15DN56G

BVDSS:150 V

ID:100A

RDSON:6mΩ

Kanali:Kanali N

Paketa:DFN5X6-8

Dërgo kërkesë PDF

Detajet e produktit

Tensioni i WSD100N15DN56G MOSFET është 150V, rryma është 100A, rezistenca është 6mΩ, kanali është kanal N dhe paketa është DFN5X6-8.

Furnizime me energji elektrike MOSFET, PDs MOSFET, drone MOSFET, cigare elektronike MOSFET, pajisje kryesore MOSFET dhe vegla elektrike MOSFET.

Simboli	Parametri	Vlerësimi	Njësitë
VDS	Tensioni i burimit të shkarkimit	150	V
VGS	Tensioni i portës-burim	±20	V
ID	Rryma e kullimit të vazhdueshëm, V_GS@ 10 V (T_C=25℃)	100	A
IDM	Rryma e kullimit me pulsim	360	A
EAS	Energjia e ortekëve me puls të vetëm	400	mJ
P_D	Shpërndarja totale e energjisë..._C=25℃)	160	W
RθJA	Rezistencë termike, kryqëzim-ambient	62	℃/W
RθJC	Rezistenca termike, kasë kryqëzimi	0.78	℃/W
TSTG	Gama e temperaturës së ruajtjes	-55 deri në 175	℃
T_J	Gama e temperaturës së kryqëzimit operativ	-55 deri në 175	℃

Simboli	Parametri	Kushtet	Min.	Tip.	Maks.	Njësia
BV_DSS	Tensioni i prishjes së burimit të shkarkimit	V_GS=0V, I_D= 250 uA	150	---	---	V
RDS (ON)	Rezistenca statike e burimit të kullimit²	V_GS= 10 V, I_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS (të)	Tensioni i pragut të portës	V_GS=V_DS, une_D= 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Rryma e rrjedhjes së burimit të shkarkimit	V_DS= 100 V, V_GS=0V, T_J= 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Rryma e rrjedhjes së portës së burimit	V_GS=±20V, V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	Ngarkesa totale e portës	V_DS= 50 V, V_GS= 10 V, I_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	Ngarkesa me portë-burim		---	26	---
Q_gd	Ngarkesa e portës-kullimit		---	18	---
Td(on)	Koha e vonesës së ndezjes	V_DD= 50 V,V_GS= 10 V R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	Koha e Ngritjes		---	98	---
Td (off)	Koha e vonesës së fikjes		---	55	---
T_f	Koha e vjeshtës		---	20	---
C_iss	Kapaciteti i hyrjes	V_DS= 30 V, V_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
Coss	Kapaciteti i daljes		---	1730	---
C_rss	Kapaciteti i transferimit të kundërt		---	195	---