Teknologjia e karikimit të shpejtë, si pjesë thelbësore e pajisjeve moderne elektronike, po zhvillohet dhe po zhvillohet me shpejtësi.Të nxitura nga tregu i karikimit të shpejtë, industri të tilla si telefonat inteligjentë dhe automjetet elektrike po kërkojnë gjithnjë e më shumë zgjidhje të shpejtë dhe efikase të karikimit.Inovacioni në teknologjinë e karikimit të shpejtë jo vetëm që fokusohet në përmirësimin e shpejtësisë së karikimit, por gjithashtu thekson sigurinë.Duke parë të ardhmen, teknologjia e karikimit të shpejtë do të kombinohet me karikimin me valë dhe teknologjinë më efikase të baterisë për të arritur një hap cilësor dhe për t'u sjellë përdoruesve një përvojë karikimi më të përshtatshme dhe miqësore me mjedisin.Me zhvillimin e teknologjisë dhe zgjerimin e tregut, industria e karikimit të shpejtë pritet të vazhdojë të ruajë rritjen e shpejtë.
Kur flasim për aplikimin eMOSFETnë teknologjinë e karikimit të shpejtë, në fakt ka disa dhimbje koke.
Para së gjithash, sepse karikimi i shpejtë kërkon një rrymë të madhe,MOSFETdo të nxehet shumë, dhe mënyra se si të përballeni me këtë nxehtësi bëhet një problem i madh.Pastaj, ka edhe sfida të efikasitetit.Kur ndërrohet shpejt, MOSFET humbet lehtësisht një pjesë të energjisë së tij, gjë që ndikon në efikasitetin e karikimit.Përveç kësaj, pajisjet e karikimit të shpejtë shpresojnë të jenë sa më të vogla, por kjo kërkon që MOSFET të jetë i vogël dhe gjithashtu të përballet me problemin e nxehtësisë.Për shkak se MOSFET ndërron shpejt, mund të ndërhyjë me pajisje të tjera elektronike, gjë që është gjithashtu një problem.Së fundi, mjedisi i karikimit të shpejtë ka kërkesa të larta për rezistencën e tensionit dhe rrymës së MOSFET-ve, që është një test për performancën e tyre.Puna në këtë mjedis për një kohë të gjatë mund të ndikojë gjithashtu në jetën e shërbimit dhe besueshmërinë e tyre.Me pak fjalë, megjithëse MOSFET është kritik për karikim të shpejtë, ai përballet me shumë sfida.
WINSOKMOSFET mund të jetë në gjendje t'ju ndihmojë të zgjidhni problemet e mësipërme.Modelet kryesore të aplikimit të WINSOK MOSFET në karikim të shpejtë janë:
| Numri i pjesës | Konfigurimi | Lloji | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Paketa | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maks. | Min. | Tip. | Maks. | Tip. | Maks. | (pF) | ||||
| Beqare | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Beqare | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Beqare | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Beqare | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Beqare | P-Ch | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Beqare | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Beqare | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Numrat e tjerë të materialit të markës që korrespondojnë me WINSOK MOSFET-in e mësipërm janë:
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSD3050DN janë:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NT39NAYNT88FIRCHILD NT39VND8NT48NTF4NXNX. perian PSMN9R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSD30L40DN janë:AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-2030PEA.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSP6020 janë:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens P0706BV.Potens Semi.690du.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSP16N10 janë:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSP4435 janë:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO44459,AO4803,AO44803OCHO,AO44803A,AO44803A,AO44803A,AO44803A,AO44803A,AO44803A,F. 5BZ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Mikroelektronikë STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS4357D.
Numrat korrespondues të materialit të WINSOK MOSFET WSP4407 janë:AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics,SHP6PLLS6,St Microelectronics30PLLHS33H30PLLLST S9P3LLH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSP4606 janë:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FAIRCHILD ECH8661,FDSVISHAYYS1.4661,FAIRCHILD ECH8661,FAIRCHILD ECH8661,FAIRCHILD ECH8661,FAIRCHILD ECH8661. wer SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Numrat përkatës të materialeve të WINSOK MOSFET WSR80N10 janë:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR1PN086NX 5-100PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Koha e postimit: Nëntor-28-2023
