Bankat portative të energjisë (të njohura edhe si karikues portativ) përdoren gjerësisht për pajisje të ndryshme elektronike. Me përparimet në teknologjinë e baterive, bankat e ardhshme të energjisë pritet të jenë më të lehta, të kenë kapacitet më të lartë dhe të ofrojnë shpejtësi më të shpejtë karikimi. Veçoritë inteligjente dhe multifunksionaliteti do të jenë gjithashtu fusha kyçe të zhvillimit për të përmbushur kërkesën në rritje për zgjidhjet e energjisë celulare.
MOSFET-ët në bankat portative të energjisë (ngarkuesit portativë) përballen me sfida në efikasitet dhe qëndrueshmëri. Çështjet kryesore përfshijnë humbjen e energjisë, menaxhimin e pamjaftueshëm të nxehtësisë dhe shqetësimet e besueshmërisë nën ngarkesa të larta, të cilat kufizojnë performancën dhe jetëgjatësinë e bankave të energjisë. PërdorimiWINSOKMOSFET mund të jetë në gjendje t'ju ndihmojë të zgjidhni problemet e mësipërme.
Aplikacionet MOSFET të tensionit të mesëm dhe të ulët WINSOK në furnizimet me energji celulare, modelet kryesore të aplikacioneve:
Numri i pjesës | Konfigurimi | Lloji | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Paketa | |||
@10V | |||||||||||
(V) | Maks. | Min. | Tip. | Maks. | Tip. | Maks. | (pF) | ||||
Beqare | N-Ch | 30 | 5.6 | 0.5 | 0.8 | 1 | - | - | 525 | SOT-23N | |
Beqare | N-Ch | 20 | 5.9 | 0.3 | 0.5 | 1.2 | - | - | 395 | SOT-23-3L | |
Beqare | N-Ch | 30 | 5.5 | 1 | 1.4 | 2 | 26 | 32 | 391 | SOT-23-3L | |
Beqare | P-Ch | -20 | -7.1 | -0,5 | -0,5 | -1 | - | - | 2000 | SOT-23-3L | |
Beqare | P-Ch | -30 | -5.1 | -0,7 | -1 | -1.3 | - | 43 | 826 | SOT-23-3L | |
Beqare | P-Ch | -30 | -120 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
Beqare | N-Ch | 30 | 12 | 1.2 | 1.9 | 2.5 | 9.5 | 12 | 770 | SOP-8 | |
Dyfishtë + ESD | N-Ch | 20 | 7.2 | 0.5 | 0.7 | 1.2 | - | - | 615 | SOP-8 | |
Dyfishtë + ESD | N-Ch | 20 | 7.5 | 0.5 | 0.7 | 1.1 | - | - | 620 | SOP-8 | |
Beqare | P-Ch | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
Beqare | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
Dyfishtë | P-Ch | -20 | -5.8 | -0,6 | -1.1 | -1.7 | 40 | 65 | 625 | SOP-8 | |
N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
Beqare | P-Ch | -30 | -65 | -1 | -1.6 | -2.5 | 7.5 | 9.5 | 3448 | TO-252 |
Numrat e tjerë të materialit të markës që korrespondojnë me WINSOK MOSFET-in e mësipërm janë:
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WST3400S janë:AOS AO3400,AO3400A,AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R.Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8,ZXN34MCSD1 SM2314NSA.Potens Semiconductor PDN3643.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WST2316 janë:AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.
Numrat përkatës të materialeve të WINSOK MOSFET WST3408 janë:AOS AO3404,AO3404A,AO3406,AO3454,AO3456.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si232TREANV55ST .TOSHIBA SSM3K333R,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Diodat e inkorporuara ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.
Numrat përkatës të materialeve të WINSOK MOSFET WST2339 janë:AOS AO3413,AO3415A,AO3415A,AO3419,AO3423,AO3435,AO3493,AO3495,AO3499,AO349SI inopower SM2335PSA.Potens Semiconductor PDN2309S.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WST3409 janë:AOS AO3401,AO3401A,AO3453,AO3459.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Sinopower PSA.Power SM2101 N2309S.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSD30L120DN56 janë:AOS AON6403,AON6407,AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.
Numrat përkatës të materialeve të WINSOK MOSFET WSP4406 janë:AOS AO4406A,AO4306,AO4404B,AO4466,AO4566.Onsemi,FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STS010FN3N3NF G.TOSHIBA TP89R103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSP9926 janë:AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS380.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSP9926A janë:AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON,IR BSO3330Smi PDS3810.
Numrat përkatës të materialeve të WINSOK MOSFET WSP4435 janë:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4483ACH,AO4483ADS,AO4481ADS 65BZ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.STMikroelektronikë STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSP4407 janë:AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics3PHSLLST 9P3LLH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSP4953A janë:AOS AO4801,AO4801A,AO4803,AO4803A.Onsemi,FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS48PH190P JIT PJL9801.APEC AP2P028EM,AP4413GM.Diodat e inkorporuara ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.
Numrat përkatës të materialit të WINSOK MOSFET WSP4606 janë:AOS AO4606,AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL960KSNI. Potens Semiconductor PDS3710.
Numrat përkatës të materialeve të WINSOK MOSFET WSF70P03 janë:AOS AOD21357,AOD403,AOD423.Onsemi,FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6PSH0LST JIT PJD70P03.APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.
Koha e postimit: Nëntor-24-2023